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1、該論文研究了通過(guò)外加磁場(chǎng)進(jìn)行磁控濺射的方法,就是將靶內(nèi)磁場(chǎng)屏蔽,在基片下放置磁鐵,讓來(lái)自基片下的磁場(chǎng)發(fā)揮磁控作用,這樣,磁控效果不會(huì)因靶材性質(zhì)而受到明顯影響.與此同時(shí),沉積薄膜的過(guò)程中發(fā)生了明顯變化.實(shí)驗(yàn)中觀察到,在外在磁場(chǎng)折作用下,等離子體放電的輝光的明亮程度及外貌和靶面自偏壓發(fā)生了明顯變化.進(jìn)一步對(duì)沉積薄膜的測(cè)量表明,薄膜的沉積速率等發(fā)生了變化,通過(guò)對(duì)空間磁場(chǎng)進(jìn)行模擬計(jì)算發(fā)現(xiàn),由于空間外加的縱向磁場(chǎng)引起了放電空間中以及靶面附近磁場(chǎng)分
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