Sn的電化學原子層外延及其在電化學分析中的應用研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、　 本碩士學位論文主要就電化學原子層外延法在多晶金和單晶硅電極表面構(gòu)建SnSe半導體化合物進行了研究，并用多種電化學方法及X-射線衍射(XRD)對沉積機理和化合物形態(tài)進行了研究和表征，證實了電極表面SnSe化合物的形成。同時研究了錫(Sn2+)在多晶金電極表面的欠電位沉積和吸附行為，并將Sn的欠電位沉積研究結(jié)果用于實際樣品分析中，得到了令人滿意的結(jié)果。 循環(huán)伏安、計時庫侖(CC)及微分脈沖陽極溶出伏安法等電化學方法研究了Sn2

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