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文檔簡介
1、憶阻器(Memristor),是繼電容、電阻、和電感之后的第四種基本電路元件,自1971年蔡少棠(Leon Chua)提出后,直到2008年才由惠普實驗室研制出原型元件。憶阻器的記憶特性天然模擬大腦突觸,可用于構造基于憶阻器的神經網絡?;趹涀杵鞯纳窠浘W絡,不僅繼承了憶阻器低功耗、納米體積等優(yōu)點,更有助于神經網絡性能的提升?;趹涀杵鞯纳窠浘W絡作為一個系統(tǒng)而言,在實際應用之前,為了保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率性等,系統(tǒng)的動力學分析顯得尤為重要
2、。
本文利用憶阻器模型,設計了基于憶阻器的神經網絡,并對其進行了動力學分析。主要工作包括:
1)基于憶阻器的神經網絡設計
本文使用一種分段線性的憶阻器模型,設計了兩類基于憶阻器的神經網絡。一是將憶阻器與 MOSFET、電阻、電容等元器件相結合,設計了一類基于憶阻器的WTA神經網絡系統(tǒng)(MWNN)。一是將憶阻器與MOSFET、電阻、電容、放大器等元器件相結合,設計了一類帶漏電時滯和時變時滯的基于憶阻器的遞歸神
3、經網絡驅動-響應系統(tǒng)。通過分析得到了兩類系統(tǒng)的狀態(tài)方程。
2)基于憶阻器的WTA神經網絡的動力學分析
對本文設計的基于憶阻器的WTA神經網絡進行了動力學分析,得到了該系統(tǒng)存在WTA點的充分條件以及其收斂于WTA點的條件。然后將該系統(tǒng)與BP神經網絡相結合,設計了一個BP-MWNN分類器,并將其應用到紅斑-鱗狀皮膚病的診斷當中,最后給出了仿真實例驗證所得到的結論。
3)基于憶阻器的時滯遞歸神經網絡的動力學分析<
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