4多線鋸機(jī)理和模型

1、多線鋸機(jī)理和模型1. 介紹參“晶體硅切片1”2. 多線鋸技術(shù)參“晶體硅切片2 ”3. 基本機(jī)理參“晶體硅切片3”3.1微壓痕實(shí)驗(yàn)同上3.2定量模型scratch-indenting以及l(fā)apping of glass過程還不能直接應(yīng)用于線鋸 模型，而由于對(duì)過程的一些細(xì)節(jié)還不是很清楚，還不能用滾動(dòng)壓痕模 式建立唯一的模型，需進(jìn)一步研究。圖7滾動(dòng)壓痕模式的示意圖。可以分為兩種方式，粒子和晶體表 面的斷裂機(jī)理和在鋼線和工件間動(dòng)力的砂漿中研磨粒

2、子的動(dòng)力學(xué)機(jī) 理。兩者結(jié)合成完整的模型，首先分析第一種方式，這是通過大量實(shí) 驗(yàn)證明的。3.3單個(gè)粒子作用以及斷裂機(jī)理砂漿中的研墨粒子，在砂漿和運(yùn)動(dòng)線（速度v）相互作用的工作區(qū) 域間進(jìn)行滾動(dòng)切割，粒子運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力主要來自于兩方面：隨線運(yùn)動(dòng) 的砂漿流中的切向力和液壓，以及粒子直接與鋼線接觸的法向力。研墨過程實(shí)際上是在表面的法向力FN作用下，粒子在表面上形 成凹痕的過程。對(duì)于脆性材料，塑性區(qū)域和法向力作用下不同的裂紋 系統(tǒng)的形成跟硬度H和斷裂

3、韌性KIC有關(guān)，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的刻痕方法，得 到關(guān)系式：昌“?土 “ 土（1a，b）c為縱向和橫向裂紋長(zhǎng)度的半長(zhǎng)，a為塑性區(qū)域塑印的對(duì)角線長(zhǎng) （圖5, 6）。a和。由壓痕的幾何形狀，剩余應(yīng)力以及其他一些因素決 定。對(duì)于維式壓頭，參數(shù)a=2 a=2，knoop壓頭，a=W4 a=W4，而最匹配的P值 =1/7在不同的資料中變化較大。室溫下單晶硅硬度H=10.6-10.9GPa， 在{111}{110}{100}面上分別為 KIC=0.82,