28納米集成電路工藝金屬層OPC模型的開發(fā).pdf

1、集成電路制造工藝的關(guān)鍵尺寸隨著“摩爾定律”一步步的縮小到了28納米。這一制程節(jié)點是應(yīng)用雙重曝光之前的最后一個世代，所以對光刻與 OPC(Optical Proximity Correction,光學(xué)鄰近效應(yīng)修正)精確度的要求也更為嚴格，OPC模型的誤差必須被控制在極小的范圍內(nèi)。此外，由于工藝窗口變小，OPC模型需要具備預(yù)測全工藝窗口內(nèi)圖形缺陷的能力。本課題選取28納米版圖最復(fù)雜的金屬層，研究了28納米OPC模型的特點，分析了影響模型精確

2、度的原因，設(shè)計了多組實驗來優(yōu)化模型參數(shù)，提高模型精度。
　　本課題首先研究了28納米OPC模型中的掩模版模型。探討了掩模版模型主要的參數(shù)及其影響，通過實驗總結(jié)了快速、準確的優(yōu)化這些參數(shù)的方法，優(yōu)化的掩模版模型大大的提高了OPC模型的精確度。其次，研究了PWOPC(Process Window OPC)模型。通過定義模型數(shù)據(jù)點對光刻能量/焦距波動的敏感度，篩選出對建立PWOPC貢獻大的少量數(shù)據(jù)點，用于數(shù)據(jù)收集和建模。在保證模型精度的