Al-CuO-SCB的安全性能研究.pdf

1、本文制備了以Al/CuO納米薄膜為反應(yīng)層的含能半導體橋（簡稱Al/CuO-SCB），設(shè)計了六種不同橋型的Al/CuO-SCB，通過1A lW5min不發(fā)火實驗、靜電放電實驗研究了含能半導體橋的安全性能，利用ANSYS有限元分析軟件模擬了Al/CuO-SCB在靜電放電過程中的溫度場分布，對Al/CuO-SCB的靜電安全性進行了研究。另外，通過點火實驗初步探究了Al/CuO-SCB的非接觸式點火性能。主要結(jié)論如下:
　　(1)與多晶硅

2、半導體橋的恒流安全性相比較，Al/CuO-SCB的恒流安全性沒有降低。另外，不同橋型的Al/CuO-SCB火工品的1A lW5min不發(fā)火實驗結(jié)果和紅外顯微測溫結(jié)果表明Al/CuO-SCB恒流安全性會隨著橋區(qū)質(zhì)量的增加而增強;當橋區(qū)質(zhì)量相同時，矩形橋型的Al/CuO-SCB恒流安全性優(yōu)于V角橋型的Al/CuO-SCB。
　　(2)通過ANSYS有限元分析軟件對Al/CuO-SCB在500pF、5000Ω、25kV靜電放電作用下的溫

3、度場分布進行了模擬，模擬結(jié)果顯示:Al/CuO-SCB表面最高溫度隨著橋區(qū)質(zhì)量的增加而減小，當橋區(qū)質(zhì)量相同時，矩形橋型的Al/CuO-SCB恒流安全性優(yōu)于表面溫度低于V角橋型的Al/CuO-SCB。
　　(3)靜電放電實驗結(jié)果顯示:與多晶硅半導體橋的靜電安全性相比較，Al/CuO-SCB的靜電安全性沒有降低，并且Al/CuO-SCB靜電安全性的隨著橋區(qū)質(zhì)量的增大而增強;當橋區(qū)質(zhì)量相同時，矩形橋型Al/CuO-SCB抗靜電能力強于V