已閱讀1頁，還剩55頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、為提高半導體橋的輸出能量，本文通過理論分析選用Al/CuO作為含能材料，設計制作了兩種橋型的Al/CuO復合半導體橋。在不同激勵條件下對Al/CuO復合半導體橋進行電爆性能實驗、高速攝影實驗、測溫實驗和安全性實驗，研究了Al/CuO薄膜對復合半導體橋電爆性能的影響規(guī)律，驗證了Al/CuO薄膜用于提高半導體橋輸出能量的可行性和有效性。主要得出以下結(jié)論:
(1)Al/CuO薄膜對多晶硅起爆過程沒有影響，Al/CuO復合半導體橋電爆
2、性能隨激勵條件改變的變化規(guī)律與多晶硅半導體橋一致。Al/CuO膜的導熱系數(shù)較大，增大了熱消散能量，導致Al/CuO復合半導體橋爆發(fā)時間增長，爆發(fā)消耗能量增大。
(2)在電容47μF，充電電壓為30V、40V、50V條件下，Al/CuO復合尖角半導體橋爆發(fā)產(chǎn)物的空間尺寸和持續(xù)時間大于多晶硅半導體橋，輸出能量顯著提高。
(3)在高能量激勵條件下，兩種橋型的Al/CuO復合半導體橋爆發(fā)產(chǎn)物的溫度明顯高于多晶硅半導體橋，隨著
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- Al-CuO復合薄膜含能點火器件作用機理與點火性能研究.pdf
- 納米Al-CuO的制備及性能表征.pdf
- Al-CuO納米線復合含能材料的制備表征及性能研究.pdf
- Al-CuO含能橋多點點火能力研究.pdf
- 用于沖擊片雷管的Al-CuO反應含能橋膜研究.pdf
- Al-CuO多層可反應性薄膜制備與反應性能研究.pdf
- Al-CuO多層含能橋膜的制備與電爆特性研究.pdf
- 肖特基結(jié)構(gòu)Al-CuO薄膜換能元的設計、制備與電爆性能研究.pdf
- 單片集成不發(fā)火電路的半導體橋的設計研究.pdf
- 結(jié)型半導體橋的結(jié)構(gòu)設計及性能研究.pdf
- 有機含能薄膜半導體橋的制備及性能研究.pdf
- 納米復合半導體的制備、表征及光電性能研究.pdf
- 半導體橋失效機理研究.pdf
- 銀-半導體納米復合材料的合成及性能研究.pdf
- 復合半導體材料改性光催化性能.pdf
- 無機半導體復合物的制備及其性能研究.pdf
- 石墨烯-半導體復合材料的設計、制備與性能研究.pdf
- 納米半導體復合材料的設計、制備及其光電性能研究.pdf
- 半導體激光-TIG電弧復合熱源表面熔覆工藝及性能研究.pdf
- Al-CuO-SCB的安全性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論