微電子概論結(jié)課論文____淺析微電子發(fā)展

1、微電子概論結(jié)課論文紡織學(xué)院專業(yè) ：紡織工程班級 ：紡織工程 133姓名 ：鄧杰學(xué)號：120901203的建立和材料物理的發(fā)展，都起到了理論推動(dòng)作用。1946 年 1 月，Bell 實(shí)驗(yàn)室正式成立了半導(dǎo)體研究小組，成員為肖克萊、理 論物理學(xué)家巴丁、實(shí)驗(yàn)物理學(xué)家布拉頓。在系統(tǒng)的研究過程中，巴丁提出了表面 態(tài)理論，肖克萊給出了實(shí)現(xiàn)放大器的場效應(yīng)基本設(shè)想，巴丁設(shè)計(jì)進(jìn)行了無數(shù)次實(shí) 驗(yàn)，于 1947 年 12 月觀察到了該晶體管晶體管結(jié)構(gòu)的放大

2、特效，標(biāo)志著世界上 第一個(gè)點(diǎn)接觸型晶體管的誕生。1952 年 5 月，英國科學(xué)家達(dá)默第一次提出了集成電路的構(gòu)想。1958 年，以 德克薩斯儀器公司的科學(xué)家基爾比為首的研究小組研制出世界上第一塊集成電 路。 晶體管和集成電路的發(fā)明，拉開了人類進(jìn)入電子時(shí)代的序幕，對人類社會的 所有領(lǐng)域產(chǎn)生了并且還正在產(chǎn)生著深遠(yuǎn)影響。 隨著晶體管和集成電路的發(fā)明與應(yīng)用， 微電子技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)飛速發(fā)展的時(shí) 期。1965 年，美國硅谷西安童半導(dǎo)體公司的

3、 Gordon Moore 博士通過研究了半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展數(shù)據(jù)，1971 年提出了著名的“摩爾定 于 律”——集成電路芯片的集成度每三年提高 4 倍，而芯片加工特征尺寸每三年縮 小 倍。微電子技術(shù)是近五十年來發(fā)展最快的技術(shù)。 從最基本的機(jī)構(gòu)單元 pn 結(jié)，到簡單的接觸雙極型晶體管和結(jié)型晶體管，再 到 MOS 場效應(yīng)晶體管；從雙極集成電路，到數(shù)字集成電路，再到 MOS 集成電 路，每一次進(jìn)步都是一次技術(shù)上的巨大飛躍。 作為微電

4、子技術(shù)的核心，集成電路（IC）經(jīng)歷了小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、 超大規(guī)模階段，目前已進(jìn)入甚大規(guī)模階段，其集成度不斷提高、功耗延遲積（優(yōu) 值）和特征尺寸不斷縮小、集成規(guī)模不斷增大。各方面的性能不斷優(yōu)化，價(jià)格卻在不斷降低——如此一來，產(chǎn)品的升級換代不僅導(dǎo)致性能品質(zhì)的提升，價(jià)格也變 得越來越便宜，性價(jià)比不斷提高，在人類生活中也越來越受到歡迎，得到了廣泛 的應(yīng)用。 集成電路的制造工藝主要包括以下內(nèi)容。 圖形裝換技術(shù)：主要是光刻和刻蝕技術(shù)； 薄

5、膜制備技術(shù)：主要是外延、氧化、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積等； 摻雜工藝：主要是擴(kuò)散與離子注入； 其他工藝：接觸與互連、隔離技術(shù)、封裝技術(shù)和輔助工藝等。 隨著集成電路規(guī)模的發(fā)展，工藝的不斷提高，其種類趨于繁多，應(yīng)用環(huán)境的 變化，集成電路的設(shè)計(jì)也起著越來越大的作用。尤其是電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 EDA 工 具的應(yīng)用， 在保證實(shí)際準(zhǔn)確性的同時(shí)， 大大縮短了設(shè)計(jì)周期， 降低了設(shè)計(jì)的成本。目前，我們已經(jīng)進(jìn)入納米時(shí)代。0.25 微米的 CMOS 工藝技術(shù)已