2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、湖北大學(xué)碩士學(xué)位論文BaSrTiO薄膜的磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕工藝研究姓名：全祖賜申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：張柏順20070501同。當(dāng)0 < V B 細(xì)< I ．5 3 V 時(shí)，J - V 曲線符合歐姆導(dǎo)電機(jī)制。當(dāng)4 ．5 9V < V B 蛔< 1 0 ．2 V 時(shí)，l o g J - l o g V 曲線符合空間電荷限制電流( S C L C ) 模型。當(dāng)l O ．7 1 V <

2、; V B h < 2 5V 或- 2 5v < ‰，< - 1 0 ．7 1 V 時(shí)，刻蝕前和刻蝕后以及刻蝕后再退火的B S T 電容器的漏電流密度主要受B S T ／P t 或P t ／B S T 界面處肖特基勢(shì)壘高度的限制，l n 2 - P 尼或l n 2 - N m 曲線符合肖特基發(fā)射模型。關(guān)鍵詞：B S T 薄膜；M E R L E 工藝；C F 4 ／A r ／0 2 等離子體；后期退火；等離子體誘導(dǎo)損傷

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