0.13μmeeprom器件測試分析

1、分類號 密級 UDC注 1 學 位 論 文 0.13μm EEPROM 器件測試分析 器件測試分析 （題名和副題名） 喻尊 喻尊 （作者姓名） 指導教師姓名 李澤宏 李澤宏 副教授 副教授 電子科技大學 電子科技大學

2、成都 成都 （職務(wù)、職稱、學位、單位名稱及地址） 申請學位級別 碩士 碩士 專業(yè)名稱 微電子學與固體電子學 微電子學與固體電子學 論文提交日期 2010.4 論文答辯日期 2010.5 學位授予單位和日期 電子科技大學 電子科技大學 答辯委員會主席 評閱人 年 月

3、 日 注 1 注明《國際十進分類法 UDC》的類號摘要 I 摘 要 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)， 電可擦寫只讀存儲器，是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失、可在線重復擦寫編程的存儲器，通常寫入的數(shù)據(jù)常溫條件下可以保存數(shù)十年，其擦寫編程周期可達百萬次以上。作為理想的小容量不易失存儲器（NVM, Nonvolatile Memory） ，廣泛應用于消費類電

4、子、工業(yè)類電子等產(chǎn)品領(lǐng)域。 本文以復旦微電子股份有限公司與新加坡特許半導體聯(lián)合開發(fā)的 0.13μm EEPROM 工藝開發(fā)及器件驗證項目為中心，結(jié)合不易失存儲器理論及自開發(fā)測試驗證平臺介紹，分析驗證工藝、器件特性。本文的主要工作包括： 1） NVM 器件基本理論研究。 首先， 對 NVM 涉及相關(guān)半導體物理機理進行分析和研究；其次，對常用三類 NVM 類型（EPROM、EEPROM、Flash）及各類型存儲器典型單元特征結(jié)構(gòu)進行分析和研

5、究。 2）0.13μm EEPROM 單元、陣列及 EEPROM 工藝介紹。對本項目 EEPROM目標存儲單元和存儲陣列及開發(fā)工藝進行簡要介紹。 3）自開發(fā)測試驗證平臺介紹。測試驗證平臺主要包含 NB0401 測試系統(tǒng)，安捷倫電源、安捷倫萬用表、精準溫控氣流箱、自開發(fā) PCB 測試板，單片機測試程序及測試腳本，通過對測試流程的分析加以描述。 4）工藝器件驗證、特性分析。器件特性主要包含 EEPROM 單元的閾值電壓VT 與擦、寫編程高壓