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1、1第四節(jié)第四節(jié)離子晶體離子晶體(第二課時(shí))(第二課時(shí))一、離子晶一、離子晶體1離子晶離子晶體的結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)NaCl晶體結(jié)構(gòu)模型晶體結(jié)構(gòu)模型CsCl晶體結(jié)構(gòu)模型晶體結(jié)構(gòu)模型CaF2晶體結(jié)構(gòu)模型晶體結(jié)構(gòu)模型典型晶體陰離子配位數(shù)陽離子配位數(shù)NaClCsClCaF2思考:影響離子晶體配位數(shù)的的因素是什么?利用表3—5的數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算,把計(jì)算結(jié)果填入表3—6。表3—5幾種幾種離子的離子半徑離子的離子半徑表3—6NaClNaCl、CsClCsCl中正
2、、負(fù)離子的半徑比和配位數(shù)中正、負(fù)離子的半徑比和配位數(shù)2影響離子晶體結(jié)構(gòu)的因素影響離子晶體結(jié)構(gòu)的因素(1)幾何因素:晶體中正負(fù)離子的半徑比)幾何因素:晶體中正負(fù)離子的半徑比一般正負(fù)離子的半徑比越大配位數(shù)越多(2)電荷因素:正負(fù)離子的電荷比)電荷因素:正負(fù)離子的電荷比正負(fù)離子電荷比=正負(fù)離子的配位數(shù)比=正負(fù)離子個(gè)數(shù)反比(3)鍵性因素:離子鍵的純粹程度)鍵性因素:離子鍵的純粹程度(不要求不要求)二、晶格能二、晶格能1定義:氣態(tài)離子形成定義:氣
3、態(tài)離子形成1mol1mol離子晶體時(shí)釋放的能量離子晶體時(shí)釋放的能量Na(g)Cl(g)→NaCl(s)U=786kJmol符號(hào):U單位:通常單位是kJmol–1晶格能通常取正值觀察下表,你發(fā)現(xiàn)了什么規(guī)律?2晶格能的影響因素晶格能的影響因素離子NaCsCl-離子半徑pm95169181NaClCsClrr=rr=C.N.=6C.N.=8FClBrILiNaKRbCs1036923821785740853786715689659807747
4、682660631757704649630604AB型離子晶體NaClBaO核間距pm279277離子電荷Z12晶格能kJmol–178630542(1)離子的半徑:離子的半徑越小,晶格能越大離子的半徑:離子的半徑越小,晶格能越大(晶格能與離子的半徑呈反比)(2)離子的電荷:離子所帶電荷越多,晶格能越大離子的電荷:離子所帶電荷越多,晶格能越大(晶格能與離子電荷呈正比)(3)_____:同一類型才可以用①_____:同一類型才可以用①②(
5、庫侖力)②(庫侖力)221rqqkF?練習(xí)練習(xí)1試比較NaF、NaCl、NaBr、NaI的晶格能大小關(guān)系2試比較MgO、CaO、SrO、BaO的晶格能大小關(guān)系3試比較NaCl與MgO的晶格能大小關(guān)系4試比較Al2O3與MgO的晶格能的大小關(guān)系3晶格能的作用晶格能的作用(1)U越大,離子鍵越強(qiáng),離子晶體越穩(wěn)定越大,離子鍵越強(qiáng),離子晶體越穩(wěn)定(2)U越大,離子晶體熔沸點(diǎn)越高越大,離子晶體熔沸點(diǎn)越高(3)U越大,離子晶體硬度越大越大,離子晶體
6、硬度越大前提前提條件:_______形條件:_______形成的離子晶成的離子晶體如:NaFNaClNaBrNaIMgOCaOSrOBaO4晶格能的應(yīng)用晶格能的應(yīng)用(1)晶格能與巖漿晶出規(guī)則)晶格能與巖漿晶出規(guī)則巖漿晶出規(guī)則:礦物從巖漿中先后結(jié)晶的規(guī)律晶體從巖漿析晶難易程度不僅與巖漿的組成有關(guān)而且也與析出晶體的晶格能大小有關(guān):晶格能高的晶體熔點(diǎn)較高更容易在巖漿冷卻過程中先結(jié)晶(2)碳酸鹽的熱分解溫度大小判斷)碳酸鹽的熱分解溫度大小判斷試
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