電磁場選擇題

1、填空題：1.設(shè)某螺旋管通有直流I時(shí)的自感為L，當(dāng)通有電流2I時(shí)，其自感為L。2.矩形波導(dǎo)填充的理想介質(zhì)，波導(dǎo)尺寸。若要求6.25r??5025abmmmm???只傳輸模，工作波長的范圍為。10TE0?050100mmmm???3.已知一平面波的電場強(qiáng)度，該平面波的傳播(34)???(453)ojkxzxyzEajaae??????方向上的單位矢量，極化方式為右旋圓極化。?na?(0.600.8)?4.一個(gè)由理想非均勻媒質(zhì)填充的有限封閉區(qū)

2、域被外加均勻電場所極化，則在該區(qū)域內(nèi)部出現(xiàn)的與束縛體電荷密度對應(yīng)的束縛體電荷和與束縛面電p?pQ荷密度對應(yīng)的束縛面電荷之間滿足的關(guān)系是，因?yàn)閜s?psQ0ppsQQ??（填相關(guān)公式）。?()()0nVSPdVaPdS????????AAA1麥克斯韋方程中包括了三個(gè)實(shí)驗(yàn)定律它們分別為:庫倫定律、安培定律和法拉第電磁感應(yīng)定律。2在研究靜電場時(shí)，可以引入電位函數(shù)的原因是：（或靜電場是無旋場或0E???靜電場是保守場）。3無源場中麥克斯韋方程組

3、的積分形式為：、、、BEdScsdlt??????????????????ADHdScsdlt?????????????????A0SDdS????????AB0sdS????????A。4.麥克斯韋方程的微分形式中，說明存在電磁波的方程為：，BEt??????????DHJt???????????5.在時(shí)變場中位移電流密度為：；它與磁場的關(guān)系為:位移電JdDt??????JdHJ??????????流的物理含義為:時(shí)變電場產(chǎn)生時(shí)變磁場

4、.6.聯(lián)系著一個(gè)矢量場的散度和通量關(guān)系的定理叫：高斯（散度）定理，其關(guān)系A(chǔ)()r???式為：；另外聯(lián)系著的旋度和環(huán)流關(guān)系的定理叫：斯托克ddVSAVAS??????????AAAA()r???3、恒定電場的兩個(gè)基本方程的微分形式為、。相應(yīng)的邊界0???E0??JA條件為、。??120???nEE??120??nJJA4、在均勻各向同性媒質(zhì)中，靜電場的兩個(gè)基本場量滿足的本構(gòu)關(guān)系為；??DE恒定電場的兩個(gè)基本場量滿足的本構(gòu)關(guān)系為。??JE5

5、、電流連續(xù)性方程的微分形式為。0t??????JA6、電容是導(dǎo)體系統(tǒng)的一種屬性，它的大小只與導(dǎo)體的尺寸尺寸、形狀形狀及周圍介質(zhì)周圍介質(zhì)有關(guān)，而與導(dǎo)體所帶電荷電荷及導(dǎo)體間的電壓電壓無關(guān)。1靜電場的兩個(gè)基本方程的微分形式為、；在完純介質(zhì)0E??????AD與理想導(dǎo)體的分界面上電場的兩個(gè)基本物理量滿足的邊界條件為0??nE、。??AnD2、電位滿足的泊松方程為；在兩種完純介質(zhì)分界面上電位滿2??????足的邊界條件為、。12???2121nn

6、?????????3、恒定電場的兩個(gè)基本方程的積分形式為、。相d0s??AAJSd0c??AAEl應(yīng)的邊界條件為、。??210??AnJJ??210???nEE4、應(yīng)用鏡像法和其它間接方法解靜態(tài)場邊值問題的理論依據(jù)是惟一性定理。5、電流連續(xù)性方程的微分形式為。0t??????AJ6、一個(gè)直流電流回路除受到另一個(gè)直流電流回路的庫侖力作用外還將受到安培力的作用。1麥克斯韋方程組的微分形式為：、、Bt??????E????HJDt??????