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1、20112011年百名海外博士江蘇行泰州洽談會(huì)項(xiàng)目簡介年百名海外博士江蘇行泰州洽談會(huì)項(xiàng)目簡介項(xiàng)目編號68姓名胡傾宇所在國家美國郵箱qyhu11@中文:薄膜單晶硅光伏材料的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目名稱英文:Singlecrystallinesiliconthinfilmfsolarcells項(xiàng)目所屬領(lǐng)域新能源、新材料項(xiàng)目技術(shù)所處階段中試階段在哪國登記了專利中國持有項(xiàng)目情況轉(zhuǎn)讓或?qū)ν夂献髑闆r未轉(zhuǎn)讓項(xiàng)目具體描述非晶硅、多晶硅以及單晶硅,作為太陽能電池材料,
2、其光電轉(zhuǎn)換效率分別為17%,24%和29%。顯然,單晶硅的轉(zhuǎn)換效率是最高的,因而是最理想的材料。然而,現(xiàn)在的單晶硅電池都是單晶硅棒切片制造的,單晶硅棒的生產(chǎn)成本很高,而且切下來的部分只有表面的一小薄層(約為硅片厚度的150)參與光電轉(zhuǎn)換過程,這造成了單晶硅電池的成本居高不下。從2005年開始,全球硅材料緊缺、價(jià)格飆升,價(jià)格問題顯得更加突出。如果能制造單晶硅薄膜,就會(huì)在保持高的光電轉(zhuǎn)換效率的同時(shí),節(jié)省許多原料。一般來說,制造單晶薄膜的方法
3、是選擇具有相同晶體結(jié)構(gòu)的襯底,在上面外延生長相同取向的單晶薄膜。但是作為襯底的單晶本身也很貴,所以這種方法也不能解決價(jià)格問題。如果不采用單晶襯底,薄膜晶粒的生長取向是隨機(jī)的,這樣帶來的后果是晶界所占的體積百分比增加,晶界角度也大,從而導(dǎo)致電子的散射幾率增加以及電子復(fù)合幾率增加,從而降低電池的轉(zhuǎn)換效率。為了解決上面的問題,我發(fā)明了采用廉價(jià)制造的特殊基板來制造單晶薄膜的方法。首先,是選擇合適的襯底,它可以是金屬薄帶或陶瓷,值得指出的是,這里
4、的金屬薄帶具有很高柔性,因而在應(yīng)用時(shí)有很多便利。例如可以方便卷繞攜帶,以及容易貼合形狀復(fù)雜的物體。其次,是對襯底進(jìn)行處理,這是該項(xiàng)目的關(guān)鍵。最后,在得到特殊基板結(jié)構(gòu)以后,可以使用物理氣相沉積(PVD)或者化學(xué)氣相沉積(CVD)來制備半導(dǎo)體薄膜層。在基板上,各個(gè)形核中心將依照共同的取向長大,最終形成單晶半導(dǎo)體薄膜。目前國內(nèi)很多省市都上馬了薄膜非晶硅太陽能電池生產(chǎn)線,該類產(chǎn)品比較單晶硅片太陽能電池,也可以節(jié)省大量的原料。但是,該類產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化
5、效率很低,而且不穩(wěn)定,所以這種產(chǎn)品的應(yīng)用也受到了限制。我的成果如果產(chǎn)業(yè)化,由于其兼具單晶硅的高轉(zhuǎn)換效率和非晶硅薄膜的低成本,將奪取目前所有類型硅太陽能電池的市場而具有極大的商業(yè)價(jià)值。20112011年百名海外博士江蘇行泰州洽談會(huì)項(xiàng)目簡介年百名海外博士江蘇行泰州洽談會(huì)項(xiàng)目簡介項(xiàng)目編號68姓名胡傾宇所在國家美國郵箱qyhu11@中文:薄膜單晶硅光伏材料的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目名稱英文:Singlecrystallinesiliconthinfilmfs
6、olarcells項(xiàng)目所屬領(lǐng)域新能源、新材料項(xiàng)目技術(shù)所處階段中試階段在哪國登記了專利中國持有項(xiàng)目情況轉(zhuǎn)讓或?qū)ν夂献髑闆r未轉(zhuǎn)讓項(xiàng)目具體描述非晶硅、多晶硅以及單晶硅,作為太陽能電池材料,其光電轉(zhuǎn)換效率分別為17%,24%和29%。顯然,單晶硅的轉(zhuǎn)換效率是最高的,因而是最理想的材料。然而,現(xiàn)在的單晶硅電池都是單晶硅棒切片制造的,單晶硅棒的生產(chǎn)成本很高,而且切下來的部分只有表面的一小薄層(約為硅片厚度的150)參與光電轉(zhuǎn)換過程,這造成了單晶硅電
7、池的成本居高不下。從2005年開始,全球硅材料緊缺、價(jià)格飆升,價(jià)格問題顯得更加突出。如果能制造單晶硅薄膜,就會(huì)在保持高的光電轉(zhuǎn)換效率的同時(shí),節(jié)省許多原料。一般來說,制造單晶薄膜的方法是選擇具有相同晶體結(jié)構(gòu)的襯底,在上面外延生長相同取向的單晶薄膜。但是作為襯底的單晶本身也很貴,所以這種方法也不能解決價(jià)格問題。如果不采用單晶襯底,薄膜晶粒的生長取向是隨機(jī)的,這樣帶來的后果是晶界所占的體積百分比增加,晶界角度也大,從而導(dǎo)致電子的散射幾率增加以
8、及電子復(fù)合幾率增加,從而降低電池的轉(zhuǎn)換效率。為了解決上面的問題,我發(fā)明了采用廉價(jià)制造的特殊基板來制造單晶薄膜的方法。首先,是選擇合適的襯底,它可以是金屬薄帶或陶瓷,值得指出的是,這里的金屬薄帶具有很高柔性,因而在應(yīng)用時(shí)有很多便利。例如可以方便卷繞攜帶,以及容易貼合形狀復(fù)雜的物體。其次,是對襯底進(jìn)行處理,這是該項(xiàng)目的關(guān)鍵。最后,在得到特殊基板結(jié)構(gòu)以后,可以使用物理氣相沉積(PVD)或者化學(xué)氣相沉積(CVD)來制備半導(dǎo)體薄膜層。在基板上,各
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