化合物射頻半導(dǎo)體

1、?化合物射化合物射頻半導(dǎo)體：百體：百億美元空美元空間、持、持續(xù)穩(wěn)續(xù)穩(wěn)健成健成長(zhǎng)。2015年全球射頻功率放大器市場(chǎng)規(guī)模84.5億美元，化合物射頻半導(dǎo)體占比高達(dá)95.33%。預(yù)計(jì)2020年市場(chǎng)總量增至114.16億美元，2014至2020年復(fù)合增長(zhǎng)率7.51%。砷化鎵器件應(yīng)用于消費(fèi)電子射頻功放，是3G4G通訊應(yīng)用的主力，物聯(lián)網(wǎng)將是其未來(lái)應(yīng)用的藍(lán)海；氮化鎵器件則以高性能特點(diǎn)目前廣泛應(yīng)用于基站、雷達(dá)、電子戰(zhàn)等軍工領(lǐng)域，利潤(rùn)率高且戰(zhàn)略位置顯著，由

2、于更加適用于5G，氮化鎵有望在5G市場(chǎng)迎來(lái)爆發(fā)，而砷化鎵則是5G功放的另一種備選。?寡頭壟頭壟斷競(jìng)爭(zhēng)，市爭(zhēng)，市場(chǎng)格局格局漸變漸變。全球化合物射頻芯片設(shè)計(jì)呈現(xiàn)IDM三寡頭格局，2015年IDM廠商Skywks、Qvo、Avago在砷化鎵領(lǐng)域分別占據(jù)32.3%、25.5%、7.8%市場(chǎng)份額；產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)多模式整合態(tài)勢(shì)，設(shè)計(jì)公司去晶圓化及IDM產(chǎn)能外包成必然趨勢(shì)，未來(lái)行業(yè)整合仍將持續(xù)；化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)將加速成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2018年擴(kuò)張至百億人民

3、幣規(guī)模。?四大四大邏輯邏輯看好國(guó)內(nèi)化合物射看好國(guó)內(nèi)化合物射頻半導(dǎo)體行體行業(yè)發(fā)業(yè)發(fā)展前景：第一，國(guó)家意志及內(nèi)展前景：第一，國(guó)家意志及內(nèi)需支持本土化合物射需支持本土化合物射頻集成集成電路發(fā)展。展。射頻芯片大陸需求端市場(chǎng)全備，高端軍用供給受國(guó)外“芯片禁運(yùn)”遏喉，本土化迫在眉睫。第二，第二，IC國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)趨勢(shì)明朗，明朗，優(yōu)秀設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)公司不斷涌公司不斷涌現(xiàn)。受益于產(chǎn)業(yè)發(fā)展和人才回流，大陸化合物射頻廠商2G領(lǐng)域出貨量已遠(yuǎn)超國(guó)外IDM大廠，合計(jì)市場(chǎng)份

4、額占比超過(guò)75%；3G4G領(lǐng)域技術(shù)突破在即，國(guó)產(chǎn)化替代加速。第三，第三，設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，化合物半展，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)。未來(lái)大陸有望打造“設(shè)計(jì)（信維通信、長(zhǎng)盈精密、唯捷創(chuàng)芯、銳迪科、漢天下、國(guó)民飛驤、中普微電子、慧智微）晶圓代工（三安光電、海特高新）封裝測(cè)試（長(zhǎng)電科技晶方科技華天科技大港股份）”PA類IDM全產(chǎn)業(yè)鏈。第四，四，“大基金大基金”注資支持，大支持，大陸化合物晶化合物晶圓代工代工龍頭龍頭“呼之欲出呼之欲

5、出”。三安光電融資投產(chǎn)砷化鎵氮化鎵器件產(chǎn)線項(xiàng)目，深度布局化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)。產(chǎn)業(yè)總體趨勢(shì)性向亞洲轉(zhuǎn)移，大陸產(chǎn)業(yè)鏈雛形初現(xiàn)，代工環(huán)節(jié)極有希望由三安光電填補(bǔ)空白。半導(dǎo)體項(xiàng)目獲國(guó)家層面支持，大基金48億元投資成為公司第二大股東，25億美元規(guī)模產(chǎn)業(yè)合作基金、國(guó)開行200億信貸額度將助力公司外延爆發(fā)式增長(zhǎng)。2019年全部達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá)36萬(wàn)片（砷化鎵30萬(wàn)片，氮化鎵6萬(wàn)片），有望占據(jù)全球27.3%的代工份額。?風(fēng)險(xiǎn)風(fēng)險(xiǎn)因素：因素：下游周期性波動(dòng)

6、；市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加?。恍录夹g(shù)替代。?投資策略策略:設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)關(guān)注并關(guān)注并購(gòu)，制造追蹤，制造追蹤“龍頭龍頭”。（。（1）上游）上游設(shè)計(jì)領(lǐng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域：重點(diǎn)關(guān)注域：重點(diǎn)關(guān)注化合物射化合物射頻PA公司被并公司被并購(gòu)機(jī)會(huì)。機(jī)會(huì)。PA設(shè)計(jì)公司獨(dú)立生存的空間逐步縮獨(dú)立生存的空間逐步縮小。出于提升性能、降低成本、提升平臺(tái)競(jìng)爭(zhēng)力等因素考慮，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)的基帶芯片公司，具備收購(gòu)射頻設(shè)計(jì)公司補(bǔ)全平臺(tái)設(shè)計(jì)鏈的強(qiáng)烈意愿。重點(diǎn)推薦國(guó)內(nèi)重點(diǎn)推薦國(guó)內(nèi)積極布局射極布局射頻前

7、端的上市公司信前端的上市公司信維通信，并關(guān)注通信，并關(guān)注長(zhǎng)盈精密。盈精密。下游代工下游代工領(lǐng)域：看好域：看好積極布局化合物半極布局化合物半導(dǎo)體代工體代工領(lǐng)域LED龍頭龍頭企業(yè)三安光安光電。公司LED芯片龍頭地位穩(wěn)固，并強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，將受益于LED照明市場(chǎng)穩(wěn)定發(fā)展和化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)爆發(fā)性增長(zhǎng)?；衔锷浠衔锷漕l器件：自成體系的芯片器件：自成體系的芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)射頻性能性能優(yōu)異的化合物半異的化合物半導(dǎo)體化合物半化合物半導(dǎo)體

8、射體射頻性能性能優(yōu)異。異。硅單晶材料是制作普通集成電路芯片的主要原料，但受限于材料特性，很難適用于高頻高壓大電流芯片應(yīng)用?；衔锇雽?dǎo)體材料因其優(yōu)良的器件特性廣泛適用于射頻器件。常見的化合物半導(dǎo)體包括三五族化合物半導(dǎo)體和四族化合物半導(dǎo)體。其中，砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）作為其中應(yīng)用領(lǐng)域最廣、產(chǎn)業(yè)化程度最高的三五族化合物材料，具有優(yōu)良的射頻性能，天然具備禁帶寬度寬、截止頻率高、功率密度大等特點(diǎn)，作為射頻功率器件的基礎(chǔ)材料分別主宰主

9、流民用和軍用高性能射頻集成電路市場(chǎng)。工藝獨(dú)特，獨(dú)特，產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈自成體系自成體系化合物半化合物半導(dǎo)體工體工藝獨(dú)特，需要獨(dú)特，需要專門專門的制造的制造產(chǎn)線產(chǎn)線。普通硅工藝集成電路和砷化鎵氮化鎵等化合物集成電路芯片生產(chǎn)流程大致類似：先將襯底材料純化、拉晶、切片后在某種襯底上形成外延層，由代工廠按照設(shè)計(jì)公司的設(shè)計(jì)進(jìn)行一系列工藝步驟進(jìn)行電路制造，制成的芯片交由相關(guān)廠商進(jìn)行封裝與測(cè)試，最終完成芯片制造。然而由于材料特性、外延方式和制作環(huán)境要求和普