硅對植煙土壤中鎘形態(tài)、烤煙鎘積累的影響.pdf

1、本研究通過盆栽試驗(yàn)與土壤培養(yǎng)試驗(yàn)相結(jié)合的方式研究了硅對烤煙鎘吸收積累、植煙土壤鎘形態(tài)的變化規(guī)律。具體研究結(jié)果如下：
　　1.鎘污染會抑制烤煙生長。一定濃度的硅能促進(jìn)鎘污染下烤煙株高、莖圍、最大葉葉面積、鮮重的增加。這種促進(jìn)也與鎘濃度有關(guān)，鎘污染濃度較低時，硅對烤煙生長有一定的促進(jìn)作用，鎘污染濃度較高時，高硅濃度反而抑制烤煙生長。
　　2.鎘污染會使烤煙葉片中葉綠素a，葉綠素b，類胡蘿卜素的含量下降，丙二醛含量， SOD活性及

2、可溶性蛋白含量增加，與前人研究結(jié)果基本一致。一定濃度的硅能緩解鎘污染對烤煙葉片的葉綠素、SOD、MDA及可溶性蛋白的脅迫影響。
　　3.在Cd0處理中，在團(tuán)棵期及旺長期，烤煙鎘含量為根>葉>莖，而在現(xiàn)蕾期和成熟期烤煙鎘含量為葉>根>莖。在Cd1處理中，在四個時期植株鎘含量為葉>根>莖。在Cd5處理中，在旺長期烤煙鎘含量表現(xiàn)為葉>根>莖，在團(tuán)棵期，現(xiàn)蕾期及成熟期烤煙植株鎘含量表現(xiàn)為葉>莖>根。
　　4.烤煙的生長周期中鎘積累速

3、率不同，鎘積累速率表現(xiàn)為旺長期-現(xiàn)蕾期>團(tuán)棵期-旺長期>現(xiàn)蕾期-成熟期，在Cd0，Cd1處理中，鎘積累量表現(xiàn)為葉>根>莖，而Cd5處理中鎘積累量表現(xiàn)為葉>莖>根，在現(xiàn)蕾期、成熟期葉片鎘積累基本表現(xiàn)為上部葉>中部葉>下部葉。加硅處理能夠降低烤煙總鎘積累量。
　　5.在土壤--烤煙系統(tǒng)中鎘移動指數(shù)表現(xiàn)為莖-葉移動指數(shù)MIs-l>土-根移動指數(shù)MIs-r>根-莖移動指數(shù)MIr-s，鎘處理濃度越高，鎘越容易向烤煙葉部轉(zhuǎn)移。硅的添加使土壤-

4、-烤煙系統(tǒng)中鎘更多的截留在了根部，抑制了鎘向葉片的運(yùn)輸富集。
　　6.在Cd0處理中，殘?jiān)鼞B(tài)鎘含量占全鎘90％左右，弱酸提取態(tài)鎘及可還原態(tài)鎘所占百分比較??；在Cd1、Cd5處理中，殘?jiān)鼞B(tài)鎘含量占全鎘百分比小于Cd0處理，弱酸提取態(tài)鎘及可還原態(tài)鎘所占百分比高于Cd0處理，且各形態(tài)鎘百分含量表現(xiàn)為弱酸提取態(tài)鎘>可還原態(tài)鎘>殘?jiān)鼞B(tài)鎘。在Cd1、Cd5處理中，和Si0處理相比，施硅處理的弱酸提取態(tài)鎘百分含量有所下降，下降程度與硅的添加量有