變頻器整理復(fù)習(xí)資料

1、1變頻器原理及應(yīng)用變頻器原理及應(yīng)用第一章第一章概述概述填圖題輸入輸出交流直流直流整流斬波交流移相逆變第二章第二章電力電子器件電力電子器件一、填空題1、晶閘管三個(gè)電極的名稱是陽(yáng)極（A）、陰極（K）、和門極（G）。2、晶閘管的動(dòng)態(tài)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗。4、常用的均流電路有：串聯(lián)電阻均流電路、串聯(lián)電抗器均流電路和采用直流電抗器的均流電路。5、晶閘管的保護(hù)包括：晶閘管的過電流保護(hù)、晶閘管的過電壓保護(hù)和電壓與電流上升率的限制。6、晶閘管的過

2、電流保護(hù)的措施：快速熔斷器保護(hù)、過電流繼電器保護(hù)、脈沖移相過電流保護(hù)、利用反饋控制過電流保護(hù)、直流快速熔斷器過電流保護(hù)。7、電壓與電流上升率的限制的措施：給整流裝置接上整流變壓器、在交流電源輸入端串接空心小電阻和每個(gè)橋臂串接空心小電感或在橋臂上套入磁環(huán)。8、由于接通、斷開交流側(cè)電源時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程而引起的過電壓稱為交流側(cè)過電壓，由于交流電網(wǎng)受雷擊或從電網(wǎng)侵入的干擾過電壓，這種過電壓作用時(shí)間長(zhǎng)、能量大稱為交流側(cè)浪涌過電壓。9、交流側(cè)浪涌過電

3、壓只能采用類似穩(wěn)壓管穩(wěn)壓原理的壓敏電阻或硒堆元件來(lái)保護(hù)。10、大功率晶體管（GTR）使用時(shí)必須考慮的參數(shù)：擊穿電壓、電流增益、耗散功率和開關(guān)速度。11、絕緣柵雙極晶閘管（IGBT）的保護(hù)包括：過電壓保護(hù)和過電流保護(hù)。12、PD是指電力二極管，其符號(hào)是3三、判斷題1、“半控”的含義是指晶閘管可以被控制導(dǎo)通但不能用門極控制關(guān)斷。（正確）2、當(dāng)晶閘管的額定電壓小于實(shí)際要求時(shí)，可以采用兩個(gè)或兩個(gè)以上同型號(hào)器件相并聯(lián)。當(dāng)晶閘管的額定電流不能滿足負(fù)

4、載的要求時(shí)需以采用幾個(gè)晶閘管串聯(lián)聯(lián)。（錯(cuò)誤）四、簡(jiǎn)答題1、由于功率MOSFET是MOS器件，它有一定的輸入電容，很容易吸收靜電荷，靜電荷累積過多會(huì)使極間的電壓超過允許值而損壞器件。因此要注意對(duì)其的靜電保護(hù)，其靜電保護(hù)中應(yīng)注意的事項(xiàng)是什么？答：1）、功率MOSFET應(yīng)放置在防靜電袋子或?qū)щ娕菽芰蟽?nèi)，操作著要帶可靠接地的防靜電手腕帶拿取。2）、用手拿功率MOSFET時(shí)，不要用手觸摸其管腳。3）、工作臺(tái)要采用接地的桌子和地板墊。4）、電烙鐵

5、要良好接地，在MOSFET電控系統(tǒng)中要設(shè)置過電壓、欠電壓、過電流和過熱保護(hù)單元，以保證安全可靠地工作。2、使晶閘管導(dǎo)通和截止的條件是什么答：承受反電壓時(shí)，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通；承受正向電壓時(shí)，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才開通；晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就會(huì)失去控制作用，要使晶閘管關(guān)斷，只能使晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。3、什么是晶閘管的浪涌電流？答：浪涌電流是指電源接通瞬間，流入電源設(shè)備的峰值電流。4、功

6、率MOSFET的保護(hù)技術(shù)有哪些？答：柵源過電壓保護(hù)、漏源過電壓保護(hù)、峰值電流保護(hù)、有效電流保護(hù)、過熱保護(hù)、靜電保護(hù)。5、使用IGBT時(shí)，為什么要考慮過電流和過電壓保護(hù)，一般過電壓常采用的保護(hù)措施有哪些？答：1）過電流保護(hù)。若IGBT用于VVVF逆變器，當(dāng)電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)時(shí)將產(chǎn)生突變電流，如果控制回路、驅(qū)動(dòng)回路的配線欠合理，將會(huì)引起誤動(dòng)作，導(dǎo)致橋臂短路、輸出短路等事故，使IGBT流過過電流。其中，發(fā)生短路事故時(shí)，電流變化非常迅速，而且元件要承受