bms500b型超高真空磁控濺射設(shè)備技術(shù)方案

1、BMS500B型超高真空磁控濺射設(shè)備技術(shù)方案一、MS500B型設(shè)備技術(shù)方案1、本設(shè)備的實(shí)驗?zāi)康臑橛糜谥苽浒雽?dǎo)體薄膜及金屬及金屬化合物薄膜，用于薄膜光電效應(yīng)的研究。工作方式為單靶獨(dú)立工作、雙靶共濺射、三靶共濺射和四靶共濺射。2、設(shè)備的組成：由超高真空磁控濺射鍍膜室、進(jìn)樣室、隔斷閥門、送樣機(jī)構(gòu)、電源及控制系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。鍍膜室和進(jìn)樣室之間由GV100超高真空手動閘板閥隔斷。3、磁控濺射鍍膜室1個，3.1梨型濺射鍍膜室1個，尺寸為Φ500

2、㎜450㎜，其上安裝有：真空室大法蘭蓋1個。上大法蘭蓋有裝有高溫樣品架接口法蘭1個。底板上有4個靶法蘭接口，用于安裝4個Φ50（Φ2″）的磁控靶。下面有CF200法蘭接口1個用于連接真空系統(tǒng)和2個CF35真空測量法蘭接口。前和左面2個方向各有1個CF100觀察窗口和觀察窗擋板。左側(cè)有CF100進(jìn)樣法蘭接口1個。有照明用電極法蘭1個。CF16工作氣體和干燥氮?dú)獬錃饪?個，由3路質(zhì)量流量計和1路充氣氣路匯合到1個CF16超高真空截止閥。備用

3、CF63、CF35法蘭各2個。3.2真空獲得與測量濺射鍍膜室采用FB1200渦輪分子泵2XZ8機(jī)械泵，極限真空優(yōu)于6.0106Pa，系統(tǒng)漏率：≤1.3108PaLS，測量采用北京大學(xué)產(chǎn)DL70數(shù)顯復(fù)合真空計。3.3高溫樣品架組件：⑴基片尺寸：ф30mm。⑵基片加熱溫度：≥600℃1℃。⑶基片臺相對磁控靶距離在50100mm范圍內(nèi)可調(diào)沿軸向移動。⑷基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)0～30轉(zhuǎn)分。⑸設(shè)置樣品擋板組件。⑹為避免其他地方過熱，加熱器隔熱屏。3臺。⑶

4、鍍膜用射頻電源和匹配器及直流電源在另外一個電源柜上。二、MS500B型設(shè)備主要組成及報價1真空獲得與測量11鍍膜室真空系統(tǒng)序號名稱性能指標(biāo)數(shù)量1.1.1渦輪分子泵FB12001200Ls1臺1.1.2機(jī)械泵2XZ88Ls1臺1.1.3閘板閥VAT型GV200，手動1臺1.1.4抽氣管道分子泵抽氣管道1支1.1.5抽氣管道波紋管抽氣管道900㎜1支1.1.6數(shù)顯復(fù)合真空計DL701臺12進(jìn)樣室真空系統(tǒng)1.2.1渦輪分子泵FB600600L

5、S1臺1.2.2機(jī)械泵2XZ81臺1.2.3閘板閥VAT型GV150，手動1臺1.2.4抽氣管道波紋抽氣管道1000mm1支CF35高真空角閥1支旁抽管道組件1m1套1.2.5旁路抽氣旁抽電磁擋板閥1支1.2.6數(shù)顯復(fù)合真空計DL91臺2真空室系統(tǒng)21鍍膜室2.1.1真空腔體Φ500H450圓柱體上開蓋1Cr18Ni9Ti制造1支2.1.2磁控靶（小擋板）Φ50（Φ2″）靶可調(diào)整角度、做角度偏移；4個2.1.3樣品架可調(diào)節(jié)距離和樣品自轉(zhuǎn)