31179.apcvd法硅化鈦薄膜的性能研究

1、分類號：密級：UDC：學號：415819311063南昌大學專業(yè)學位研究生學位論文APCVD法硅化鈦薄膜的性能研究法硅化鈦薄膜的性能研究PropertiesofTitaniumSilicideThinFilmsDepositedbyAPCVD余雁斌培養(yǎng)單位（院、系）：環(huán)境與化學工程學院指導教師姓名、職稱：杜軍副教授指導教師姓名、職稱：徐向勤高級工程師專業(yè)學位種類：工程碩士專業(yè)領域名稱：化學工程論文答辯日期：2014年5月26日答辯委員會

2、主席：評閱人：2014年月日摘要I摘要隨著國家節(jié)能減排政策的不斷推行以及人們環(huán)保意識的不斷增強，低輻射鍍膜玻璃作為建筑門窗使用已引起了廣泛的關(guān)注。本課題采用APCVD法，以SiH4和TiCl4為反應前驅(qū)體在玻璃基板上分別制備了TiSi2、Ti5Si3單層薄膜。利用X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、紫外可見分光光度計（UVVis）、U－4100型分光光度計、FTIRNicolet5700型傅里葉紅外光譜儀、四探針電阻測試儀等

3、測試手段研究了SiH4TiCl4摩爾比、反應溫度及沉積時間三個工藝參數(shù)對薄膜性能的影響。研究結(jié)果表明：1、SiH4TiCl4摩爾比為1、2時，制備得到Ti5Si3薄膜，其中SiH4TiCl4摩爾比為2時制備得到的Ti5Si3薄膜晶相顆粒之間堆積更致密，因而薄膜可見光透射率更低；單位膜厚的晶相含量更低，所以薄膜方塊電阻更低、紅外反射率更高。SiH4TiCl4摩爾比為3、4、5時，制備得到C54相TiSi2薄膜，隨著SiH4TiCl4摩爾比

4、的升高，晶相顆粒之間堆積越來越疏松，因而薄膜可見光透射率逐漸升高；單位膜厚的晶相含量逐漸降低，所以薄膜電阻率逐漸增大、紅外反射率逐漸降低。2、隨著反應溫度逐漸升高，晶相顆粒堆積密度逐漸增大，單位膜厚的晶相含量逐漸增多，薄膜電阻率逐漸降低，所以紅外反射率逐漸增大，可見光透射率逐漸降低；當反應溫度過高時，晶相成核速率降低，生長速率增加，導致形成大的晶相顆粒，晶相顆粒之間的空隙率增大，單位膜厚晶相含量減少，薄膜電阻率會升高，因而可見光透射率升

5、高，紅外反射率會降低。當反應溫度為720℃時，Ti5Si3晶相結(jié)構(gòu)完善，堆積致密，此時Ti5Si3薄膜的電阻率最低，紅外反射率達到最高；反應溫度為700℃時，TiSi2薄膜的電阻率最低，紅外反射率達到最高。3、隨著沉積時間的逐漸增加，晶相顆粒的堆積密度逐漸增加，薄膜電阻率逐漸降低，因而紅外反射率逐漸升高；當沉積時間過大時，薄膜在原有致密均勻的晶相表面，因晶體的各向異性，晶相顆粒在特定方向不斷生長成大尺寸晶相結(jié)構(gòu)，薄膜晶相顆粒之間的空隙率