固相晶化法（SPC）制備多晶硅薄膜的研究.pdf

1、本文首先從太陽電池的發(fā)展現(xiàn)狀出發(fā)，論證了發(fā)展多晶硅薄膜太陽電池的意義及必要性。接著從多晶硅薄膜太陽電池的研發(fā)現(xiàn)狀及目前研制多晶硅薄膜太陽電池所面臨的困難出發(fā)，闡述了為什么要利用非晶硅薄膜再結(jié)晶技術(shù)來制備多晶硅薄膜。然后概述了目前國(guó)內(nèi)外所采用的幾種主要的再結(jié)晶技術(shù)，包括常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化以及激光晶化等。通過分析，認(rèn)為快速熱退火技術(shù)和常規(guī)高溫爐退火技術(shù)最適合也最有可能應(yīng)用于多晶硅薄膜太陽電池的工業(yè)生產(chǎn)。對(duì)

2、快速熱退火技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究結(jié)果表明，退火溫度和退火時(shí)間對(duì)晶化后的多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗電導(dǎo)率都有很大的影響，存在a-Si：H薄膜的最佳退火條件。光熱退火之前先用常規(guī)高溫爐預(yù)熱有利于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸，改善其電學(xué)性能。沉積a-Si：H薄膜時(shí)的襯底溫度越高，得到的a-Si：H薄膜越容易晶化。對(duì)快速熱退火技術(shù)的退火機(jī)理進(jìn)行了初步探索，發(fā)現(xiàn)快速熱退火時(shí)，短波光對(duì)a-Si：H薄膜的晶化有著很大的影響。無論是脈沖快速熱退火還是常規(guī)