異質(zhì)襯底多晶硅薄膜籽晶層的制備及其性質(zhì)研究.pdf

1、太陽能光電轉(zhuǎn)化是利用太陽能資源最為有效的方法之一。目前，晶體硅太陽電池在光伏市場上占據(jù)著主導(dǎo)地位，但由于晶體硅的成本高，而大幅度降低其成本在實(shí)際操作中有很大的困難。為了節(jié)省硅材料，發(fā)展了多晶硅薄膜和非晶硅薄膜作為單晶硅、多晶硅太陽電池的替代產(chǎn)品。多晶硅薄膜太陽電池成本低廉，又無效率衰退問題，并且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備，而效率高于非晶硅薄膜電池。由于多晶硅薄膜材料的性能直接影響著電池效率，為了獲得高質(zhì)量的多晶硅薄膜電池，其中一個重要途

2、徑就是設(shè)法提高多晶硅薄膜的電學(xué)性質(zhì)，并且制備出優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜。
　　本文利用金屬誘導(dǎo)結(jié)晶法在普通玻璃襯底上制備出了多晶硅籽晶層。并利用X射線衍射、拉曼光譜、掃描電子顯微鏡、霍爾測試等多種測試手段對多晶硅籽晶層進(jìn)行了表征和分析。另外對柔性襯底石墨紙上生長多晶硅薄膜籽晶層的條件進(jìn)行了初步研究。文中所包含的主要成果和結(jié)論如下:
　　1.首先在普通玻璃襯底上、低溫條件下、短時間內(nèi)利用磁控濺射制備出具有玻璃襯底/鋁/非晶硅結(jié)構(gòu)的樣品，

3、然后在管式退火爐內(nèi)于一定溫度下氮?dú)鈿夥胀嘶?小時完成鋁誘導(dǎo)結(jié)晶。掃描電子顯微鏡和金相顯微鏡分析表明，通過此方法制備的多晶硅籽晶層具有厚度均勻、連續(xù)完整的結(jié)構(gòu);X射線衍射以及拉曼光譜測試表明該籽晶層具有結(jié)晶性良好、晶粒大等特點(diǎn);霍爾測試表明，該籽晶層屬于高摻雜p型，具有良好的電學(xué)性質(zhì)。
　　2.利用磁控濺射在0.25mm厚的石墨紙襯底上制備層非晶硅薄膜，然后對其進(jìn)行RTA快速熱退火使非晶硅快速晶化成多晶硅薄膜籽晶層。通過XRD分析可