硅基薄膜中半導體顆粒的形成機理及其相關(guān)物性_第1頁
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1、蘇州大學碩士學位論文硅基薄膜中半導體顆粒的形成機理及其相關(guān)物性姓名：陸梅君申請學位級別：碩士專業(yè)：材料物理與化學指導教師：吳雪梅諸葛蘭劍20030501AbstractThetraditionalproductiontechnologyofsiliconhasbeenmature，SOwealsousethesiliconasthesubstrateinthephotoelectricityintegration，andthesilic

2、onintegrationtechnicsisavailableIfthesilicon—basedfilmshaveafavorableluminescencepropertiesinvisiblelight，thisimportantsemiconductorwillbethebasicmaterialinthenextgenerationoftheelectronicsTheaimofthispaperistostudythefo

3、rmationmechanismofsemiconductorgrainsinthesilicon—basedfilmsTheresultisavailablenotonlypreparingthecertainsilicon—basedfilms，butalsoforstudyingtheluminescencemechanismfurtherWepreparetheSiSi02andGeSi02thinfilmbyusingthed

4、ualionbeamCOsputteringmethodandtheRFCOsputteringtechniquerespectivelyadjustingthesubstratetemperature(Ts)andtheannealingtemperature(Ta)ThenweanalysisthestructureofthethinfilmbyusingtheXRDandTEMWestudytheformationmechanis

5、mofsemiconductorgrainsfromtheaspectofthethermody’namicsandthedynamicsofthegrainsandthechemistryreactioninthefilmsWestudythephotoluminescenceofthethinfilmsfinallyKeywords：GrainsMicrostructureSubstratetemperatureAnnealWrit

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