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1、由于傳統(tǒng)的硅的生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)很成熟,所以在光電集成中,依然采用晶體硅作為基底,繼續(xù)沿用高度發(fā)展的硅集成工藝.如果能夠使硅基材料在可見光范圍內(nèi)具有良好的發(fā)光特性,那么這種重要的半導(dǎo)體材料則有可能在飛速發(fā)展的光電子學(xué)中成為下一代電子學(xué)革命的基礎(chǔ)材料.該論文研究的目標(biāo)是探討半導(dǎo)體顆粒在硅基薄膜中的形成機(jī)理,研究的結(jié)果不但有利于確定制備特定結(jié)構(gòu)的硅基薄膜,而且亦有利于其發(fā)光機(jī)理的進(jìn)一步探索.論文采用雙離子束濺射和射頻磁控濺射沉積技術(shù),通過(guò)改變薄膜
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