0.11微米dram制程中對聚合物殘留物的研究

1、Y1D22032援旦大學碩士學位論文學撞代碼：學號：(專業(yè)學位)O11微米DR雕制程中對聚合物殘留物的研究院系(所)：微電子研究院專業(yè)：電子與通信工程10246043052108姓名：旌平指導教師：黃宜平教授；仇圣菜經(jīng)理完成日期：2006年lO胃8日復||人4#碩十畢業(yè)論文摘要聚合物是在干法刻蝕的過程當中產(chǎn)生的一種副產(chǎn)物，它的形成取決于刻蝕氣體、被刻蝕的材料、光刻膠、刻蝕停止層的材料等等。聚合物需要在干法刻蝕后續(xù)的濕法清洗工藝中去除干凈

2、，否則將造成缺陷，導致良率上的損失。研究表明011微米制程DRAM在字線溝槽刻蝕(以下統(tǒng)稱BitLineETcH)后，就出現(xiàn)了這種無法用正常濕法清洗工藝去除的聚臺物的殘留物，大小有一微米到十幾微米，覆蓋十幾根甚至幾十根字線，最終導致3％左右的良率損失。本論文針對O11微米DRAM產(chǎn)品中出現(xiàn)的聚合物殘留物，通過缺陷掃描(defectscan)、透射電了顯微鏡(TEM)、x射線能譜技術(shù)(ED)等方法對它產(chǎn)牛的原因及來源進行分析，發(fā)現(xiàn)如果省略

3、BitLineETcH這一步驟，聚合物殘留也隨之消失，這就證明了聚合物殘留來源于BitLineETcH。又通過對制作流程的分析，找出聚合物殘留產(chǎn)牛的原因是由于晶圓表面的poly阻擋層與BitLineETcH反應的緣故。針對這兩點設計了三個解決方案：一、改善清洗工藝：二、改善BitLineETcH的程式；二、玄除poly阻擋層。課題的研究重點放在去除聚合物殘留，每個方案分別設計了若干實驗。其中，改善清洗工藝嘗試了四種方法，分別是：用EKc

4、代替piranha(硫酸／過氧化氫／玄離了水)和scl(1號標準清洗液)、在piranha和scl前加HFDIP(稀釋氫氟酸腐蝕)使聚合物殘留暴露到表面、減少TInnerDIP(鍍鈦前氫氟酸腐蝕)的時間、BnLineasher(字線刻蝕后光刻膠灰化)的程式中使用H2／N2氣體。改善BitLineETcH程式也嘗試了三種方法：BitLineETcH使用cF4氣體并且清洗用EKc和EKcscl、在BitLineETcH的程式里面加額外的氧氣