基于SiGe工藝的寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、SiGe工藝具有優(yōu)異的射頻性能，更由于其較高的性價(jià)比，被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、衛(wèi)星定位和RFID等市場(chǎng)；SiGe工藝還可以與常規(guī)的數(shù)字模擬電路相集成，制造出功能完整的SoC芯片。目前采用SiGe材料制作射頻集成電路已成為國(guó)際上的研究熱點(diǎn)。 隨著無(wú)線電應(yīng)用越來(lái)越廣泛，使用的帶寬和頻率也越來(lái)越高，因此寬帶、超寬帶的無(wú)線電應(yīng)用研究具有重要意義，本論文正是基于先進(jìn)的SiGe工藝，對(duì)寬帶、超寬帶無(wú)線應(yīng)用中的關(guān)鍵模塊——寬帶低噪聲放大器進(jìn)行研

2、究、設(shè)計(jì)，制造出高性能的RFIC芯片。 本論文在參考大量相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，對(duì)寬帶低噪聲放大器的各種設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了深入分析和研究，詳細(xì)比較了各種傳統(tǒng)和新型的寬帶低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上采用新穎的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了兩款帶寬超過(guò)3倍頻程的寬帶低噪聲放大器芯片，達(dá)到了優(yōu)異的性能指標(biāo)。 采用新型帶通濾波器匹配技術(shù)設(shè)計(jì)的800M-2.4GHz寬帶低噪聲放大器芯片，在寬頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)了2.1dB～3dB的噪聲系數(shù)和17dB的平坦增益，