SiGe HFIC寬帶低噪聲放大器的研究.pdf

1、低噪聲放大器(LNA)廣泛應用于通訊、電子對抗等系統(tǒng)的接收裝置的前端，其性能的好壞對整個接收裝置有重要的影響。對微波高頻寬帶低噪聲放大器的要求是：低功耗、低成本、寬帶、高線性度和低噪聲。論文應用多種技術和方法設計了一個MMIC微波單片集成的寬帶低噪聲放大器。這些技術和方法包括： 1、為解決低噪聲及低成本的問題，設計中采用SiGe異質結器件來取代通用的Si器件，同時也放棄使用GaAs器件。這是由于SiGe器件不僅具有類似GaAs器

2、件的高性能，而且具有Si器件的低成本。在工藝上，SiGe器件可以采用BiCMOS技術，很好地實現(xiàn)了與CMOS技術的兼容。 2、采用電路可關斷技術，導通狀態(tài)時器件處于工作狀態(tài)；非導通狀態(tài)時器件處于截止狀態(tài)。采用器件旁路小電流工作電路，實現(xiàn)對低噪聲放大器主要工作晶體管的控制，使該晶體管按需要分別處于工作或關斷狀態(tài)，保證了放大器的極低功耗。 3、使用反饋技術，不僅可以獲得平坦的增益和降低輸入輸出的駐波比VSWR，而且也可以使用

3、較少的元器件。也可以用平衡技術來設計寬帶放大器，但使用的元件較多，成本較高，所以在設計中沒有采用平衡技術。 4、利用寄生參數(shù)來設計電路。由于電路的封裝存在寄生電感，其不僅會影響電路的特性，而且可能造成電路設計工作的失敗，所以根據(jù)電路所需電感及其值的大小，將之有效的設計在放大器電路中。 5、采用內匹配網絡技術，設置輸入輸出匹配網絡，以保持增益和傳輸特性的平坦性，提高輸出功率和效率，降低反射系數(shù)，減少損耗。 論文提出