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文檔簡(jiǎn)介
1、軍事、航天領(lǐng)域通信接收機(jī)小型化發(fā)展的趨勢(shì)以及無(wú)線通信中數(shù)據(jù)速率的不斷提高，對(duì)通信接收機(jī)的帶寬和線性度提出了更高的要求。低噪聲放大器作為通信接收機(jī)的關(guān)鍵器件，基本決定了接收機(jī)的帶寬和線性度。GaAs MMIC低噪聲放大器具有能夠覆蓋所有的通信帶寬和高線性度的特點(diǎn)，滿足了現(xiàn)代通信的需求。本文采用GaAs MMIC技術(shù)對(duì)超寬帶低噪聲放大器進(jìn)行了探索和研究。
本文首先介紹了GaAs MMIC技術(shù)的發(fā)展歷程、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景，完成了寬帶M
2、MIC低噪聲放大器國(guó)內(nèi)外研究情況的調(diào)研。接著重點(diǎn)分析了GaAs MMIC的關(guān)鍵工藝以及pHEMT晶體管和無(wú)源器件的工藝結(jié)構(gòu)和模型，并對(duì)MMIC低噪聲放大器的相關(guān)理論進(jìn)行了必要的回顧。然后，對(duì)比研究了OMMIC ED02AH和Win PL.15工藝中pHEMT晶體管特性，確定了本文采用的工藝線、電路的級(jí)數(shù)和pHEMT晶體管的參數(shù)。最后，本文從原理圖的設(shè)計(jì)、蒙特卡羅分析、版圖的優(yōu)化等方面具體論述了6-18GHz MMIC低噪聲放大器設(shè)計(jì)流程
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