高純鋁及稀土鈰、釓靶材壓力加工工藝研究.pdf

1、濺射法是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，靶材是濺射沉積薄膜的源材料。高純鋁靶材主要運(yùn)用于半導(dǎo)體芯片、平板顯示器產(chǎn)業(yè)；稀土Gd和Ce靶材主要用于磁記錄和光記錄產(chǎn)業(yè)。靶材產(chǎn)品質(zhì)量要求嚴(yán)格，主要應(yīng)滿足以下要求：雜質(zhì)含量低，純度高；高致密度；成分與組織結(jié)構(gòu)均勻；晶粒尺寸細(xì)小。
　　 高純鋁靶材主要要求晶粒度200μm～300μm，晶粒取向以(100)面織構(gòu)為主；而稀土靶材主要要求為高致密度。本論文圍繞滿足上述的要求開展了對于高純鋁和稀土金屬

2、的相關(guān)實(shí)驗(yàn)和研究。
　　 高純鋁采用冷軋和熱鍛的方式進(jìn)行了壓力加工成型，采用恒溫鹽浴進(jìn)行再結(jié)晶退火，退火后的試樣在Axiover25蔡司金相顯微鏡下進(jìn)行微觀組織觀察。通過一系列退火對照實(shí)驗(yàn)和微觀組織觀察，確定了最優(yōu)的壓力加工和再結(jié)晶退火工藝為：冷軋40％壓下量下，退火溫度330℃，保溫時(shí)間10min，水淬。驗(yàn)證了本文所制定的實(shí)驗(yàn)方案可以獲得制備晶粒度在200μm以內(nèi)并且組織均勻的高純鋁板。并對其中的2個(gè)冷軋退火試樣和1個(gè)熱鍛退火

3、試樣進(jìn)行了再結(jié)晶織構(gòu)分析。通過ODF圖的觀察可以得到以下結(jié)論：3個(gè)高純鋁退火樣中均獲得了再結(jié)晶{100}織構(gòu)。由于鋁的總變形量小，獲得的織構(gòu)總體強(qiáng)度低。2個(gè)冷軋退火樣在45°≤ph2≤90°范圍內(nèi)的織構(gòu)依然具有類似形變織構(gòu)的特征，但是退火溫度高的試樣中此種織構(gòu)強(qiáng)度顯著降低；熱鍛退火樣與冷軋退火樣織構(gòu)有明顯不同，總體織構(gòu)強(qiáng)度更低。
　　 稀土Ce和Gd鑄錠采用冷軋的方式進(jìn)行加工，然而稀土金屬塑性差，易氧化，加工硬化率高，難于進(jìn)行壓