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1、氧化鋅(ZnO)是一種具有六方結(jié)構(gòu)的Ⅱ-Ⅵ族寬帶隙半導(dǎo)體材料,室溫禁帶寬度為3.37 eV,激子束縛能高達(dá)60 meV,具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性質(zhì)。ZnO目前廣泛應(yīng)用于壓電傳感器、變阻器、氣敏元件及光電產(chǎn)業(yè)中具有重要價(jià)值的透明導(dǎo)電膜。由于氧化鋅具有較高的激子束縛能(60meV),保證了其在室溫下較強(qiáng)的激子發(fā)光,因而被認(rèn)為是制作紫外半導(dǎo)體激光器的候選材料。自1997年首次發(fā)現(xiàn)ZnO室溫紫外受激發(fā)射以來(lái),ZnO研究己成為繼GaN之后紫外發(fā)射材
2、料研究的又一研究熱點(diǎn)。而近年來(lái).ZnO薄膜作為ITO薄膜的替代材料,成為透明導(dǎo)電薄膜的新寵,正引起人們?nèi)找鎻V泛的關(guān)注。ZnO極有潛力在未來(lái)的半導(dǎo)體領(lǐng)域中扮演重要角色。而在氧化鋅器件的應(yīng)用中,高質(zhì)量的金屬/ZnO接觸的制備是至關(guān)重要的問(wèn)題,不管是歐姆接觸還是肖特基接觸都是ZnO器件應(yīng)用發(fā)展的前提和基礎(chǔ)。然而目前,在金屬/ZnO接觸的研究中,充當(dāng)歐姆或肖特基接觸電極角色的多為不具有透明性的金屬材料,使得氧化鋅材料在光電子器件中的應(yīng)用受到一定
3、的限制。 IrO<,2>是一種既透明又導(dǎo)電的金屬氧化物,具有較低的電阻率和較好的化學(xué)穩(wěn)定性。目前,IrO<,2>薄膜已被用作底電極和防熱擴(kuò)散層等。尤其是它在可見(jiàn)光區(qū)的透光性,引起人們極大的研究興趣。本文中我們采用脈沖激光沉積方法制備了IrO<,2>/ZnO接觸,并對(duì)其接觸電學(xué)特性和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了初步的研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,IrO<,2>薄膜具有較低的電阻率,在可見(jiàn)光區(qū)呈現(xiàn)透明特性。對(duì)IrO<,2>/n-ZnO接觸的Ⅰ-Ⅴ特性測(cè)量結(jié)
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