GIS接觸電阻與溫升關系研究.pdf

1、GIS設備制造工藝本身的缺陷以及長時間運行過程中的絕緣老化、發(fā)熱、局部放電等因素均會導致其發(fā)生故障。溫升是評估GIS運行狀態(tài)的一個重要指標;接觸電阻值是表征導電回路聯(lián)接是否良好的關鍵參數(shù)，同時GIS設備的溫升主要受接觸電阻控制，當接觸電阻值發(fā)生變化時，將引起GIS整體溫度分布改變。因此，本文依據(jù)GIS設備溫升這個重要狀態(tài)量，通過研究GIS接觸電阻與溫升的關系，來實現(xiàn)對GIS設備運行狀態(tài)的評估。
　　首先，建立GIS設備簡化的二維及

2、三維仿真模型，結(jié)合COMSOLMultiphysics進行多因素影響下腔體多場耦合的暫、穩(wěn)態(tài)仿真計算;并且進一步仿真研究了導體外殼材料、對流換熱系數(shù)、輻射系數(shù)、接觸電阻等因素對GIS設備溫升的影響，得出接觸電阻、導體外殼材料及對流換熱系數(shù)均是影響GIS溫升的重要因素，輻射系數(shù)對其溫升的影響較小。
　　然后，為了得到接觸電阻與GIS溫升的具體映射關系，對126kVGIS設備仿真及試驗結(jié)果進行研究分析，搭建實驗平臺并模擬現(xiàn)場126kV