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1、本文對(duì)SiC器件制備中的一些重要工藝作了較深入研究，獲得了優(yōu)化的工藝條件，并運(yùn)用這些優(yōu)化了的工藝，制備了SiC基的MESFET和諧振器器件，測(cè)試取得了一定的結(jié)果。 首先，對(duì)生長(zhǎng)于SiO2/Si襯底上的SiC膜進(jìn)行了研究，XRD衍射譜顯示生長(zhǎng)于其上的是多晶3C-SiC，XPS測(cè)試進(jìn)一步證實(shí)了這一點(diǎn)。由光學(xué)照片可看到SiO2/SiC界面上沒有形成空洞，SiC膜在臺(tái)階處的生長(zhǎng)為非共性生長(zhǎng)，臺(tái)階底部SiC的厚度小于臺(tái)階上的厚度。其次，研
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