2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、氧是直拉硅單晶中最重要的非故意摻入的雜質(zhì),與此相關(guān)的氧沉淀一直是硅材料的重要研究課題。在某一溫度下,氧沉淀在達(dá)到平衡狀態(tài)后會(huì)出現(xiàn)所謂的“熟化現(xiàn)象”。到目前為止,對(duì)這一現(xiàn)象的研究還不夠系統(tǒng)深入。此外,摻氮對(duì)直拉硅氧沉淀熟化的影響還有待揭示。本論文在借助傅立葉紅外光譜(FTIR)和擇優(yōu)腐蝕結(jié)合光學(xué)顯微術(shù)的基礎(chǔ)上,利用掃描紅外顯微術(shù)(SIRM)對(duì)摻氮和普通直拉硅片經(jīng)低溫和高溫兩步退火的氧沉淀的熟化現(xiàn)象進(jìn)行了對(duì)比研究,得到如下主要結(jié)果:

2、 研究了普通直拉(CZ)硅單晶和摻氮直拉(NCZ)硅單晶經(jīng)800℃/8 h和1000℃/X h(X=4、8、16、32、64、128、256)兩步熱處理后的氧沉淀行為。結(jié)果表明:CZ硅單晶在1000℃熱處理64 h后出現(xiàn)氧沉淀的熟化,而NCZ硅單晶中氧沉淀的熟化則在1000℃熱處理32 h后即可發(fā)生,這表明氮加速了直拉硅單晶中氧沉淀的熟化過程。這是由于氮的引入提供了氧沉淀的異質(zhì)形核中心,使得NCZ硅單晶在低溫?zé)崽幚頃r(shí)形成的氧沉淀核心顯著

3、增多,因而在高溫?zé)崽幚頃r(shí)氧沉淀在較短的時(shí)間內(nèi)即可達(dá)到平衡狀態(tài)而進(jìn)入熟化過程。SIRM明確地顯示氧沉淀進(jìn)入熟化過程后,小尺寸的氧沉淀被消融而大尺寸氧沉淀進(jìn)一步長(zhǎng)大并誘生出二次缺陷。氧沉淀與基體間的界面能的降低被認(rèn)為是氧沉淀熟化過程的驅(qū)動(dòng)力。 研究了普通的和摻氮的重?fù)缴橹崩鑶尉Ы?jīng)650℃/8 h和1000℃/X h(X=4、8、16、32、64、128、256)兩步熱處理后的氧沉淀行為。研究表明,與普通重?fù)缴橹崩鑶尉啾?,摻氮?/p>

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