2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩68頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、氧是直拉硅單晶中最重要的雜質(zhì)之一，利用氧沉淀及其誘生缺陷作為器件制造過程中有害金屬雜質(zhì)沾污吸除的氧內(nèi)吸雜工藝在輕摻硅單晶中得以廣泛而深入地研究。近年來，不斷發(fā)展的CMOS工藝普遍采用重?fù)焦杵r底／外延層結(jié)構(gòu)并與氧內(nèi)吸雜工藝結(jié)合以制備無(wú)閂鎖的超大規(guī)模集成電路，因而，重?fù)焦杵醒鮾?nèi)吸雜行為備受研究者關(guān)注。已有研究表明：重?fù)戒R硅單晶氧沉淀受抑制而重?fù)脚鸸鑶尉а醭恋肀淮龠M(jìn)，即重?fù)焦鑶尉П憩F(xiàn)出與輕摻硅單晶不同的氧沉淀行為。但由于重?fù)焦柚醒鯘舛榷?/p>

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論