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文檔簡介
1、努豢弩謄078密緩t公開摹盛褥降耄1泓22學鼉l2010220909碩士學位論文ThesisforMasterDegree(專避攀毽)論文藤鞫;工藝參數(shù)對硅單晶直拉過程影響的數(shù)值模擬研究NumericalSimulationontheProcessParametersEffectontheCzochralskiProcessofSingleCrystalSilicon囂者簸名培蓁摹整材料科學與工程學院專照名籜材料工程觜簿教麟龠棒譬薄20
2、14年1o月20弱山東大學碩士學位論文目錄摘要iABSTRACTiii第一章緒論111課題背景、目的及意義112硅及硅單晶生長過程2121硅的物理、化學及其半導體性質2122硅單晶生長及其關鍵技術3123硅單晶制備設備413硅單晶中的微缺陷514硅單晶生長數(shù)值模擬現(xiàn)狀615本文研究內容7第二章有限元模型及CGSim軟件921數(shù)值模擬方法及其物理模型9211計算機仿真9212數(shù)值模擬方法的選擇9213物理模型及其簡化1022方程離散化及有
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