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文檔簡介
1、多晶硅納米膜憑借其優(yōu)良的壓阻特性及溫度穩(wěn)定性可廣泛應(yīng)用于壓阻式傳感器，而金屬電極的歐姆接觸特性是決定傳感器性能好壞的首要因素，因此歐姆接觸性能的改進(jìn)對于傳感器性能的提高及實用化有重要意義。課題主要研究多晶硅納米薄膜歐姆接觸原理和特性。
分析歐姆接觸的能帶理論和傳輸機(jī)制，對反映金屬/半導(dǎo)體接觸性質(zhì)好壞的接觸電阻率的測量方法進(jìn)行比較分析，得出對于多晶硅納米膜的歐姆接觸電阻的測量采用線性傳輸線模型(TLM)和圓點傳輸線模型(CDTL
2、M)。
利用低壓化學(xué)氣相淀積法(LPCVD)在表面有熱氧化二氧化硅的(100)硅襯底上生長80nm厚多晶硅納米膜,采用原子力顯微鏡對多晶硅納米膜進(jìn)行表征，納米膜的晶粒大小均勻；采用X射線衍射（XRD）表征鋁金屬與多晶硅界面的結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)，得到不同退火條件下鋁與多晶硅接觸的XRD分析圖。
對常用的金屬材料的性質(zhì)進(jìn)行分析，制作出單層金屬Al的歐姆接觸樣品?；诰€性傳輸線模型和圓點傳輸線模型測量法分別對樣片在不同溫度和不同時
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