硅微通道氧化特性的進(jìn)一步研究.pdf

1、MEMS技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)了更高效,更小型化微通道的發(fā)展。由于微通道有著優(yōu)良的性能,特殊的結(jié)構(gòu),因而有廣闊的應(yīng)用前景,目前經(jīng)過科研人員的努力,微通道已經(jīng)可以應(yīng)用在微通道板,微型化工設(shè)備,微型全分析系統(tǒng)(miniaturizedtotal analysis systems,μ-TAS),微型熱傳導(dǎo)設(shè)備以及制備微膠囊等。目前由于硅微通道板在高增益低噪聲、改善圖像分辨率、工藝兼容性以及穩(wěn)定性方面具有傳統(tǒng)玻璃纖維微通道板無法企及的優(yōu)勢(shì),受到了人們的

2、重視。
　　本文研究了硅微通道板氧化的各種條件和影響氧化質(zhì)量的因素,采用計(jì)算機(jī)輔助軟件進(jìn)行模擬和分析,提出了幾個(gè)解決氧化過程中出現(xiàn)的問題的行之有效的方法。本文第一章首先對(duì)微通道及其應(yīng)用做了介紹和說明,介紹了微通道的主要制作技術(shù),并陳述了本文所開展的主要工作。第二章介紹大深寬比硅微通道的形成原理,并研究了電化學(xué)刻蝕過程中各種參數(shù)對(duì)P型硅微通道板形態(tài)的影響。第三章則介紹了制備大深寬比硅微通道的工藝流程。第四章介紹了大深寬比硅微通道的氧