版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、互連線系統(tǒng)已經(jīng)成為發(fā)展高速、高性能、高密度集成電路的瓶頸。將低介電常數(shù)介質(zhì)(low-k)集成到ULSI互連系統(tǒng)中是當(dāng)前解決此瓶頸問題的主要研究方向。準(zhǔn)確界定low-k介質(zhì)薄膜的硬度特性是解決low-k介質(zhì)互連面臨的機(jī)械方面挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。激光產(chǎn)生超聲表面波(Laser Generated Surface Acoustic Waves,LSAWs)探測(cè)技術(shù)由于其快速、準(zhǔn)確、無損傷等突出優(yōu)點(diǎn),特別適合在線檢測(cè)易脆、超薄、低硬度介質(zhì)薄膜的楊氏模量
2、。 本課題從聲表面波傳播的色散理論和LSAWs實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理方法兩個(gè)方面進(jìn)一步推進(jìn)了LSAWs檢測(cè)技術(shù)的研究。 在理論方面,針對(duì)ULSI互連系統(tǒng)的具體情況,本研究從傳播媒質(zhì)的波動(dòng)方程出發(fā),建立了“各向同性薄膜/硅襯底”的理論計(jì)算模型,并在大量計(jì)算結(jié)果的基礎(chǔ)上研究了薄膜的厚度、密度、楊氏模量等各種參數(shù)對(duì)理論計(jì)算的色散曲線的影響。納米多孔二氧化硅是最有潛力應(yīng)用于low-k互連系統(tǒng)的介質(zhì)。為解決原有計(jì)算模型不能適應(yīng)納米孔呈周期性
3、分布的薄膜的問題,本研究進(jìn)一步建立了“橫觀各向同性薄膜/硅襯底”的計(jì)算模型,并依據(jù)此計(jì)算模型豐富的計(jì)算結(jié)果對(duì)納米多孔二氧化硅薄膜的各項(xiàng)參數(shù)對(duì)于聲表面波傳播特性的影響作了深入的分析和研究。 在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理方面,本研究根據(jù)奈奎斯特定理構(gòu)建了合適的采樣系統(tǒng)。本研究用加窗函數(shù)的設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)了一個(gè)具有線性相位特性的FIR軟件濾波器來減弱實(shí)驗(yàn)環(huán)境中噪聲的污染,達(dá)到了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析處理的要求。在軟件濾波器的設(shè)計(jì)中,我們仔細(xì)研究了各種窗函數(shù)的特性
4、,研究了凱瑟窗的參數(shù)對(duì)凱瑟窗性能的影響,并最終選擇了參數(shù)調(diào)節(jié)靈活的凱瑟窗作為設(shè)計(jì)中加載的窗函數(shù)。本研究中采用了按時(shí)間抽選(DIT)的基-2 FFT算法來對(duì)實(shí)驗(yàn)信號(hào)作頻譜分析。在仔細(xì)研究了各種常用窗函數(shù)窗譜特性的基礎(chǔ)上,本研究加載了合適的窗函數(shù)來降低頻譜泄露;并采用在信號(hào)的末尾增添零值的辦法降低了頻譜的柵欄效應(yīng)。在獲得信號(hào)頻譜的基礎(chǔ)上,我們通過一定的公式,計(jì)算獲得了實(shí)驗(yàn)信號(hào)的色散曲線。為了將實(shí)驗(yàn)色散曲線和理論計(jì)算的色散曲線擬合,本研究采用
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- LSAWs技術(shù)檢測(cè)ULSI互連布線low-k介質(zhì)薄膜楊氏模量的算法研究.pdf
- 超聲表面波(LSAWs)法表征low-k薄膜楊氏模量的快速實(shí)現(xiàn).pdf
- LSAWs技術(shù)無損表征互連薄膜機(jī)械強(qiáng)度與界面粘附性的研究.pdf
- 超聲表面波技術(shù)表征ULSI互連薄膜特性與數(shù)值算法的研究.pdf
- Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究.pdf
- 基于內(nèi)聚力模型的表面波無損表征Low-k薄膜的粘附性研究.pdf
- 互連低k介質(zhì)多孔SiO-,2-:F薄膜機(jī)械性能改善研究.pdf
- 后端low-k材料的制備及卷帶封裝的可靠性研究.pdf
- ulsi互連布線國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢(shì)論
- ULSI中互連的電學(xué)和熱學(xué)特性的建模及模擬.pdf
- ULSI中互連線延遲時(shí)間的研究.pdf
- 應(yīng)用于ULSI層間介質(zhì)的低k氟化非晶碳膜研究.pdf
- ULSI銅互連層CMP拋光液研究.pdf
- 光學(xué)介質(zhì)薄膜的激光損傷特性研究.pdf
- 鉭摻雜鉿基高k柵介質(zhì)薄膜的離子束制備與表征.pdf
- 高K柵介質(zhì)Al2O3薄膜的力學(xué)及電學(xué)特性研究.pdf
- 基于SiOC低k介質(zhì)及其摻雜薄膜的研究.pdf
- 高k電介質(zhì)薄膜制備研究與集成薄膜電容探討.pdf
- Tb摻雜ZnO薄膜和高K柵介質(zhì)Er-,2-O-,3-薄膜的制備及特性研究.pdf
- ULSI片內(nèi)互連線寄生參數(shù)提取及應(yīng)用.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論