基于自隔離技術的可集成SOI高壓(-600V)器件研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SOI(Silicon On Insulator)技術具有低泄漏電流、低功耗、高速、低串擾和寬安全工作區(qū)等優(yōu)點而在功率集成電路(Power Integrated Circuits，PICs)應用中備受關注。PICs的關鍵技術在于實現(xiàn)功率器件耐高壓和低壓控制電路與功率器件之間的有效隔離。
　　通過理論和實驗，本文對P型 SOI層上的與高壓集成電路(HVIC)兼容的N溝道 LDMOS新器件進行數(shù)值仿真和實驗研究。該器件的特點是在埋氧層

2、(BOX)上界面引入埋N島或N層。根據(jù)泊松方程，N島或N層中的施主離子增強SOI層下界面的電場，從而增大埋氧層的電場，導致?lián)舸╇妷禾岣?。與P型常規(guī)SOI相比，埋N島SOI器件耐壓由487V提升至690V。另外，在HVIC中，該器件與低壓電路單元實現(xiàn)自隔離，避免工藝復雜、高成本的深槽介質隔離。
　　通過仿真，本文仿真分析了器件結構參數(shù)對擊穿電壓的影響。同時，采用工藝仿真軟件Tsuprem4優(yōu)化了工藝參數(shù)。在頂層硅厚20μm，埋氧層厚

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