600V VDMOS器件的仿真與分析.pdf

1、VDMOS器件是新一代電力電子開關(guān)器件。無論是開關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用，都是理想的功率器件，是當(dāng)前半導(dǎo)體分立器件的高端產(chǎn)品，應(yīng)用范圍廣，市場(chǎng)需求大，發(fā)展前景好。它主要應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域，所以VDMOS器件的設(shè)計(jì)和研制具有實(shí)用價(jià)值。本文借助TSUPREM4和MEDICI兩個(gè)模擬工具對(duì)VDMOS器件元胞進(jìn)行了仿真和分析并對(duì)VDMOS器件元胞進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和模擬。 本文首先

2、對(duì)600V VDMOS器件元胞進(jìn)行工藝仿真，分析了VDMOS器件元胞的工藝步驟，借助TSUPREM4編寫了仿真程序并給出仿真結(jié)果。接著對(duì)VDMOS器件進(jìn)行電特性仿真，借助MEDICI詳細(xì)分析了溝道調(diào)整注入對(duì)器件特性的影響，證明溝道調(diào)整注入能有效降低準(zhǔn)飽和效應(yīng)；詳細(xì)分析了柵長(zhǎng)對(duì)VDMOS器件電特性的影響，為VDMOS器件元胞尺寸設(shè)計(jì)提供指導(dǎo)；詳細(xì)分析了P阱工藝參數(shù)對(duì)VDMOS器件閾值電壓的影響，通過仿真發(fā)現(xiàn)溝道長(zhǎng)度小于0．8μm時(shí)，短溝道