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文檔簡介
1、 本文提出P型多環(huán)結(jié)構(gòu)的新型DoubleRESURFLDMOS,并通過合理設計BCD工藝將此功率器件與低壓電源管理電路集成在同一芯片上。主要工作包括:均勻P降場層DoubleRESURFLDMOS的研究;提出P型多環(huán)結(jié)構(gòu)的新型DoubleRESURFLDMOS;設計電源管理電路BCD工藝流程?! ”疚膶﹄娫垂芾黼娐返腂CD高低壓兼容工藝進行了合理地設計,工藝過程中改變用異型外延片和對通隔離技術(shù),而采用單晶片雙阱工藝和自隔離技術(shù)來實現(xiàn)
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