BCD工藝在電源管理IC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用.pdf

1、本文在分析了一種適合用于電源管理IC設(shè)計(jì)的雙極型-CMOS-DMOS(簡稱BCD，Bipolar-CMOS-DMOS)工藝的原理和特點(diǎn)基礎(chǔ)上，討論了BCD工藝中雙極型、CMOS和DMOS器件的實(shí)現(xiàn)方法；然后結(jié)合電源管理芯片中的典型IP模塊，包括電壓基準(zhǔn)源、運(yùn)算跨導(dǎo)放大器、模擬乘法器、輸出驅(qū)動(dòng)電路等，給出了在BCD工藝支持下的單元電路設(shè)計(jì)實(shí)例；最后，成功運(yùn)用所完成的IP模塊設(shè)計(jì)與構(gòu)成了一個(gè)有源功率因數(shù)校正器芯片，給出了采用BCD工藝設(shè)計(jì)與

2、實(shí)現(xiàn)的完整的電源管理IC設(shè)計(jì)實(shí)例。介紹了芯片的系統(tǒng)、模塊和版圖設(shè)計(jì)，詳細(xì)討論了采用BCD工藝實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)時(shí)的各種要求和考慮，尤其是不同類型器件的合理應(yīng)用和底層設(shè)計(jì)中的縝密考慮，為芯片功能的成功實(shí)現(xiàn)提供了有力的保證。整個(gè)工作與電源管理IC的項(xiàng)目研究與開發(fā)結(jié)合緊密。采用BCD工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的有源功率因數(shù)校正器芯片亦已在美國國家半導(dǎo)體公司的支持下流片成功，經(jīng)測試，其主要特性與預(yù)期設(shè)計(jì)目標(biāo)相符。 構(gòu)建與完善了以BCD工藝為基礎(chǔ)的電源管理芯片的