兼容700V LDMOS的BCD工藝中若干問題的研究.pdf

1、本文設計了一種700V高壓LDMOS的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝，主要面向中小功率單片智能功率集成電路的設計應用。在分析當前工藝開發(fā)面臨的挑戰(zhàn)以及傳統(tǒng)的工藝開發(fā)的基礎上，本文提出了利用Silvaco公司的集成TCAD(Technology Computer Aided Design)環(huán)境Virtual Wafer Fab進行新工藝開發(fā)的思想，利用其工藝仿真軟件Athena和器件仿真軟件Atlas模擬工藝開發(fā)流程，完

2、成整個BCD工藝的研究與開發(fā)。 在國內許多論文提出的BCD工藝中，也對兼容700V LDMOS的BCD工藝進行了詳細的闡述，但其主要是系統(tǒng)粗略的分析，實用性不強。本文通過對BCD工藝開發(fā)中遇到的幾個問題進行了深入的研究，并制定了完整的BCD工藝流程，為高壓BCD工藝的實用性打下基礎。 從工藝的應用領域、電路規(guī)模以及器件結構特點出發(fā)，本文主要考慮了器件之間的隔離、高壓LDMOS制作中溝道的制作方式及其開漏輸出PAD上ESD