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1、本文采用拉曼光譜和紅外光譜測(cè)定了球磨制備的納米SiO2和氣相制備的納米SiO2的光譜,分析了它們之間的結(jié)構(gòu)區(qū)別,并觀察了它們的晶化過(guò)程。通過(guò)高溫原位拉曼光譜測(cè)定了CaSiO3和ZrSiO4晶體由常溫到高溫的變溫拉曼光譜,分析了變溫過(guò)程中其結(jié)構(gòu)的變化,還用高分辨透射電鏡觀察了硅酸鹽玻璃的微觀結(jié)構(gòu)。通過(guò)這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析,探討了二氧化硅由體材料到納米結(jié)構(gòu)和硅酸鹽晶態(tài)到高溫態(tài)結(jié)構(gòu)的變化以及硅酸鹽玻璃態(tài)的結(jié)構(gòu)。 對(duì)納米SiO2的結(jié)構(gòu)研究
2、發(fā)現(xiàn),球磨制備的納米SiO4顆粒的內(nèi)部和外部表面結(jié)構(gòu)是完全不同的,內(nèi)部結(jié)構(gòu)中原子排列較為有序,而外部表面結(jié)構(gòu)較為無(wú)序。對(duì)氣相制備納米SiO2的結(jié)構(gòu)研究發(fā)現(xiàn),該納米顆粒的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和外部結(jié)構(gòu)的原子排列都無(wú)序。對(duì)這兩種納米SiO2高溫晶化處理時(shí),球磨制備的納米SiO2以晶粒內(nèi)部的有序結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)長(zhǎng)大有序,晶化過(guò)程較容易。而氣相法制備的納米SiO2中,晶粒內(nèi)外層結(jié)構(gòu)都較為無(wú)序,無(wú)有序結(jié)構(gòu)作為晶化基礎(chǔ),因此晶化過(guò)程比較困難,晶化時(shí)需要更高的溫度和時(shí)
3、間。 對(duì)CaSiO3晶體的變溫拉曼光譜的研究發(fā)現(xiàn),隨著溫度升高,各振動(dòng)模向低波數(shù)紅移,譜峰寬化,鏈狀結(jié)構(gòu)的CaSiO3在高溫下轉(zhuǎn)變?yōu)榄h(huán)狀結(jié)構(gòu),在熔態(tài)下存在多種硅氧四面體結(jié)構(gòu)。應(yīng)用Materials Studio3.1軟件中的密度泛函理論對(duì)ZrSiO4晶體結(jié)構(gòu)單元的簡(jiǎn)振振動(dòng)模式進(jìn)行了模擬計(jì)算,并解釋了各振動(dòng)模的歸屬,有助于對(duì)其實(shí)測(cè)譜峰的分析。高溫原位拉曼光譜分析顯示,ZrSiO4晶體在升溫過(guò)程中各振動(dòng)模紅移,譜峰明顯展寬且相對(duì)強(qiáng)度
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