基于單密勒電容頻率補(bǔ)償LDO的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、本文首先簡(jiǎn)要地介紹了電源管理芯片的重要性、分類以及國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,面臨的問(wèn)題;接著從理論上詳細(xì)闡述了LDO線性穩(wěn)壓器的基本原理,工作過(guò)程,以及LDO線性穩(wěn)壓器的性能參數(shù)指標(biāo);然后,從穩(wěn)定性設(shè)計(jì)入手,參考LDO設(shè)計(jì)難點(diǎn)和各種折衷關(guān)系,提出關(guān)鍵技術(shù)的改進(jìn)與實(shí)現(xiàn)。通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)嵌套式密勒補(bǔ)償(NMC)方法進(jìn)行小信號(hào)分析,計(jì)算其零極點(diǎn)的位置分布,發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)帶寬由于受非主極點(diǎn)的影響隨外接電容變化很大。當(dāng)外接大電容時(shí),LDO內(nèi)部補(bǔ)償電容只有隨外接電容增大

2、才能保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性,這樣就會(huì)增大版圖面積,減小單位增益帶寬,并且降低系統(tǒng)的相位裕度。針對(duì)以上問(wèn)題分析了單密勒電容(SMC)頻率補(bǔ)償方法以及基于單密勒電容頻率補(bǔ)償?shù)淖枘嵋蜃涌刂?DFC)補(bǔ)償方法,利用單密勒電容補(bǔ)償方式極點(diǎn)隨外接電容影響不大的特點(diǎn),優(yōu)化模塊結(jié)構(gòu),消除單位增益附近頻率峰值,增大帶寬,穩(wěn)定相位裕度,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。最終通過(guò)分析各子模塊的結(jié)構(gòu)和原理,給出LDO各子模塊和系統(tǒng)的仿真結(jié)果。結(jié)果表明,本文所設(shè)計(jì)的誤差放大器完全達(dá)到