一款無片外電容LDO的設(shè)計(jì)和研究.pdf

1、隨著電子產(chǎn)品逐漸向便攜式以及多功能的方向發(fā)展，低壓差線性穩(wěn)壓器由于其尺寸小、噪聲低、電路結(jié)構(gòu)簡單以及成本低等優(yōu)點(diǎn)，則在電源管理芯片中占有重要地位。而SoC技術(shù)和IP復(fù)用對(duì)于芯片集成度的要求相對(duì)來說較高，所以如何能夠去掉LDO中片外大電容來提高芯片集成度也受到了很多的關(guān)注和研究。因此無片外電容LDO的研究是極具現(xiàn)實(shí)意義的。
　　本文旨在研發(fā)一款負(fù)載變化范圍較寬并具有較好的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性的無片外電容LDO。其輸入電壓范圍為3~5V,

2、輸出電流范圍0~100mA，輸出電壓為2.8V，本文討論和分析了無片外電容LDO穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)問題，介紹了目前無片外電容LDO的穩(wěn)定性設(shè)計(jì)技術(shù)和瞬態(tài)響應(yīng)改善技術(shù)。在此基礎(chǔ)上，提出了本設(shè)計(jì)優(yōu)化方案，主要是采用嵌套式米勒補(bǔ)償進(jìn)行穩(wěn)定性設(shè)計(jì)，通過添加擺率增強(qiáng)電路來優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。基于CSMC0.5μm N阱工藝，完成了電路設(shè)計(jì)與仿真。最后得到的仿真結(jié)果為：最小壓降VDROP小于200mV；靜態(tài)電流IQ大約為60μA；線性調(diào)整率LR約為0.07