基于動態(tài)補償?shù)母叻€(wěn)定性LDO研究與設計.pdf

1、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)與其他電源IC產品相比,其效率高、噪聲低、高紋波抑制比、快速瞬態(tài)響應、PCB簡單、占用芯片面積小、成本低廉,在汽車功率設備、便攜式電子設備、通訊設備、政府工業(yè)和醫(yī)療設備等領域的應用非常廣泛。因此,進行本論文的研究具有重要的理論意義及實際意義。
　　針對智能手機、平板電腦的AMOLED顯示器的電源驅動芯片的需求,本文所設計的LDO線性穩(wěn)壓器,是基于意法半導體公司的0.13微米BCDv8工藝,擁很高的輸出電壓

2、精度、優(yōu)秀的線性調整率和負載調整率、寬范圍且高壓的可調輸入輸出電壓范圍(10V~16V輸出至6V~12V)以及良好的電源抑制等特性。本文的重點對LDO線性穩(wěn)壓器系統(tǒng)的穩(wěn)定性以及頻率補償技術進行研究,通過深入探究LDO線性穩(wěn)壓器導致系統(tǒng)不穩(wěn)定的各種因素之后,借鑒文獻中不同頻率補償機制的長處,最后確定本設計LDO的系統(tǒng)架構,該系統(tǒng)包括動態(tài)零點補償單元、跨導增強單元、超級源跟隨器以及動態(tài)增益補償單元等模塊,確定了各模塊的功能和設計指標,該系統(tǒng)

3、有效地解決了普通LDO穩(wěn)壓器在不同環(huán)境下的穩(wěn)定性問題。在此基礎上完成了各模塊與系統(tǒng)電路結構的設計,并對電路結構進行了模擬仿真,在極差環(huán)境下的低頻環(huán)路增益為55dB,正常環(huán)境均可保持在60dB以上,且全工作環(huán)境下相位裕度40°以上,電壓誤差±0.6％以下,低頻PSRR達到-40dB以上。實驗結果表明,這套通用易移植的頻率補償方法有效的解決了大片外負載電容下,由負載電流變化、輸入輸出電壓變化以及不同環(huán)境引起系統(tǒng)穩(wěn)定性問題,并使其在外部復雜環(huán)