300V IGBT的設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、東南大學碩士學位論文300VIGBT的設計姓名：周昕杰申請學位級別：碩士專業(yè)：軟件工程（IC）指導教師：李智群蔡世俊20080328AbslfactAbstractIGBTisanewtypeofpowerelectronicsdevicesBecauseithasseveraladvantages：higbinputresistance、lowvoltagedrop、simpledrivecircuit、wideSOA、goodcur

2、rentscapabilityetcitsverypopularwithdesignershsimportanttothedevelopmentofnotonlytraditionalindustries(suchaselectricpowermechanismmimng，traffic，chemistryweavingetc)，butalsohighandnewtechnology(suchasspaceflight，lasercom

3、munication，automationetc)TheapplyingareasofIGBTtoucheveryindustrydepartmentofNationaleconomyWithoutquestion，itisaOReoftheveryimportantpowerelectronicsdevicesInthisthesis，a300VIGBThasbeendesignedUndertheconditionofbreakdo

4、wnvoltagewhichhasbeengivencompromisingresistancewithswitchingcharacteristicisthekeyofdesigningIGBTForthispurpose，IproposedaconvenientandfeasibledesignthoughtonbasicofparameteroptimumFirstlythedevice’svalueofstructurepara

5、meterwasapproximatedThenTsuprera4andMedicisoftwareweTeusedtoopamizethevalueswhichgotbyapproximatecalculationForoptimizingthedevicesslmctareandtechnologicalparametersofchannal，aB岫breakerPBODYNSDetcthebreakdownvoltage，thre

6、sholdvoltage，switchingcharacteristicandresistanceweresimulatedAtlast，ithasgottenthetargetsofdesignThoughthestimulationbycomputerthebreakdownvoltagesofthe1GBTis340Vthresholdvoltageis2036Vtumontimeis5xlO4us，tttraofftimeis恥

7、sIthasgottenthetargetsofdesignThepresented1GBTcallbewellappliedinthehighvoltagepowerICsforitssirepleprocessthatiscompatiblewiththeMOSprocessKeywords：IGBT；breakdownvoltage；thresholdvoltage；switchingchamcteristic；resistanc

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