硫增感氯化銀微晶光電子衰減特性動力學研究.pdf

1、本工作借助于微波吸收介電譜檢測技術(shù)，系統(tǒng)檢測了硫與硫加金增感立方體氯化銀微晶光電子的時間分辨譜。根據(jù)光電子衰減譜隨增感條件的變化，分析了增感中心在不同增感時間下的陷阱效應問題。發(fā)現(xiàn)隨增感時間的增加，硫增感中心的陷阱效應發(fā)生了由空穴陷阱效應到淺電子陷阱效應再到深電子陷阱效應的轉(zhuǎn)變；硫加金增感中心陷阱效應發(fā)生了由淺電子陷阱效應到深電子陷阱效應的轉(zhuǎn)變。
　　 根據(jù)已有的研究鹵化銀動力學關(guān)系的基本能級模型，結(jié)合實驗條件和光電子衰減特性建

2、立了本工作所需要的氯化銀微晶具體能級模型，此模型中包含一個固有淺電子陷阱、兩個固有深電子陷阱和一個由增感引入的俘獲中心。對模型中各種陷阱單獨存在時對光電子衰減的影響進行了探討。發(fā)現(xiàn)，由增感引入的陷阱對光電子整個衰減過程都有影響，隨增感引入的空穴陷阱濃度的增加，光電子的衰減減慢，濃度越大，光電子衰減越慢，而深度變化對光電子的衰減幾乎不產(chǎn)生影響；由增感引入的淺電子陷阱，隨其濃度的增加光電子衰減前期加快，后期減慢，總體效果使得光電子衰減時間變

3、長，在淺電子陷阱范圍內(nèi)，深度變化對光電子衰減沒有影響；由增感引入的深電子陷阱濃度的增加使光電子衰減的整個過程加快，光電子衰減時間變短，深度只影響最終衰減量。
　　 通過計算機求解動力學方程，得到了不同增感時間下光電子衰減特性曲線和增感乳劑中陷阱的濃度、深度等參數(shù)，據(jù)此對硫增感氯化銀微晶中光電子的衰減特性進行了理論分析。發(fā)現(xiàn)：當增感時間較短時，微晶中形成的大硫化銀分子團簇很少，硫增感產(chǎn)物主要以硫化銀分子形式存在，此時增感中心起空穴

4、陷阱效應，并且隨空穴陷阱濃度的增加，光電子整個衰減過程減慢，衰減時間變長；隨增感時間的增加，硫聚集體中硫化物分子數(shù)量開始增加，增感中心的陷阱效應由空穴陷阱效應轉(zhuǎn)變?yōu)闇\電子陷阱效應；當增感時間很大時，就會加劇增感中心的團簇聚集，使陷阱深度逐漸加深同時新的深電子陷阱數(shù)目逐漸增加，增感中心的陷阱效應發(fā)生變化，逐漸表現(xiàn)為較深電子陷阱的特點，并隨深電子陷阱濃度的增加，光電子衰減過程加快，衰減時間變短。
　　 結(jié)合建立的具體能級模型，通過求