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1、二氧化釩是一種具有熱致相變特性的金屬氧化物,隨著溫度的變化,大約在68℃附近,發(fā)生從低溫半導(dǎo)體相到高溫金屬相的可逆相變。由于相變溫度接近室溫,且相變前后材料的光、電性能變化幅度較大,VO2 在許多領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用價(jià)值。另外,VO2為純電子型Mott-Hubbard 相變材料,可以采用電子注入的方式來觸發(fā)材料發(fā)生相似的相變效果,所以通過外加電場(chǎng)來場(chǎng)效應(yīng)控制材料物理特性發(fā)生變化可以實(shí)現(xiàn)電光開關(guān)功能。 本文重點(diǎn)研究了采用直流磁控濺射
2、法制備VO2 薄膜的工藝方法,在硅襯底上制備了多種不同工藝條件下的釩氧化物薄膜。通過X 射線衍射儀(XRD)、X 射線光電子能譜儀(XPS)、掃描電子顯微鏡(SEM)、Raman 散射光譜儀、傅立葉變換紅外光譜儀(FTIR)、NKD 薄膜分析儀等薄膜分析測(cè)試工具手段對(duì)這些樣品成分、結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學(xué)特性等方面進(jìn)行測(cè)試和分析,得出了釩氧化物薄膜制備工藝中的氧氬比和襯底溫度等參量與薄膜性質(zhì)的關(guān)系,得到了制備VO2 薄膜的最佳工藝條件。
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