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1、合肥工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文非致冷紅外探測器用VO薄膜的制備與性能研究姓名:方廣志申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):材料學(xué)指導(dǎo)教師:李合琴20090301PreparationsandPropertiesofVOxThinFilmsforUncooledInfraredDetectorAbstractV0xthinfilmsiSainfraredthermosensitivesemiconductormaterialAsaspecialfunctio
2、nmaterial,vanadiumdioxide(V02)hasattractedgreatinterestandbeenextensivelystudiedV02undergoesasemiconductormetalphasetransitionapproximatelyat68。Cwhichisnearroom—temperatureThetransitionisaccompaniedwithanabruptchangeinit
3、selectrical,magneticsusceptibilitythermalcapacitanceandopticalpropertiesItCanbewidelyusedinuncooledinfrareddetector,thermalchomicswitches,photoelectricswitches,opticalstorageandSOonInchapterl,thecrystallinestructure,prop
4、erties,allkindsofpreparingmethodsandthepotentialapplicationsaboutVOxthinfilmsareintroducedInchapter2,wesystematicallyintroducethetheoryandprocessofradiofrequency(RF)magnetronsputteringandionbeamdepositionsputtering(IBD)T
5、hepreparationsofVOxthinfilmareintroducedindetailFinally,wesummarizethecharacterizationtechniquesusedinourexperimentsInchapter3,westudytheRFmagnetronsputteringprocessofVOxthinfilms,atthesametimetheinfluencesof02/Arflowrat
6、io,workingpressure,substrate,sputteringtimeandannealtemperatureontheelectricalresistancemutationareinducedThescanningelectronmicroscope(SEM),X—raydiffraction(XRD),Xrayphotoelectronspectroscopy(xes)ofOz/Arflowratiosanddif
7、ferentsubstratesarestudiedinV0xfilmsTheresultsshowthattheVOxthinfilmwiththe02/Arratioof05:50,thesputteringpowerof120Wtheworkingpressureof15PahasagoodqualitycrystallinestructureThethinrimisannealedinvaccum111emoreisconten
8、tofV02phaseandlargeranabruptresistancechangeisThethinflimsonSisubstratesarebetterthantherimsonglassesInchapter4,westudytheDCandRFmagnetronsputteringprocessofVOx/TiOxthinfilmsandVOx/TiOx/TimultilayerthinrimsTheresultsshow
9、thatthebufferoftitaniumoxideortitaniumthinfilms,arebenefittothecrystallinequalityofvanadiumoxidethinfilmsThestressbetweentheglasssubstrateandthevanadiumoxidethinfilmsisreducedInchapter5,westudytheinternalfrictionofVOx/Ti
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