含氟氣體的去光刻膠工藝灰化率提高的研究.pdf

1、在現(xiàn)代集成電路制造中，灰化工藝加氟可有效地提高離子注入后去除光刻膠的能力；但同時，相對于灰氧去膠工藝，這種工藝的灰化率呈大幅度下跌趨勢，且其氣體擴散器的使用急速縮短，這對設備的產能和工藝成本均有較大影響。本文采用XPS(X射線光電子能譜)對應用在含氟去膠設備中的氣體擴散器表面成分進行了分析，進而討論了氣體擴散器對含氟去膠設備灰化率降低的機理，并由此提出了氣體擴散器表面氟鈍化層生成的物理化學模型和保持灰化率的具體實施方案。研究表明：對于O

2、-F接觸過的氣體擴散器，表面復合覆蓋層最厚，主要為鋁氟氫氧類化合物，這主要是由于氟易與表面氧化鋁層反應所致；對于O-F接觸的氣體擴散器，由于氟對擴散器表面氧化鋁層的侵蝕形成表面的疏松結構，易使下面的金屬鋁層曝露出來與等離子體的活性氧原子反應生成氧化鋁，如此往復，即造成灰化工藝氧原子的不足，最終導致光刻膠灰化率的下降?；谝陨辖Y論，我們設計提出了一種針對新氣體擴散器的表面預處理方法，以提高其在含氟去膠氣氛中的抗氟侵蝕的能力，最終降低由此造